SC-3GA-4
YIM
| Menge: | |
|---|---|
32 % Triple-Junction-GaAs-Solarzelle (40 cm × 80 cm)
Bei diesem Zelltyp handelt es sich um eine GaInP2/GaAs/Ge auf Ge-Substrat-Triple-Junction-Solarzelle (Effizienzklasse 32 %). Die Solarzelle hat eine aktive Fläche von 30 cm2 .
Die Solarzellenbaugruppe ist mit einer diskreten Si-Bypass-Diode, Interkonnektoren und Deckglas ausgestattet.
Merkmale
Das Triple-Junction-GaAs-Solar-Array besteht aus Triple-Junction-GaAs-Solar-Arrays oder Solarmodulen in einer bestimmten Art der elektrischen Montage. Zu seinen Eigenschaften gehören eine hohe Ausgangsleistung, eine starke Antistrahlungskapazität und ein breites Anwendungsspektrum.
Wird für Weltraum-Solarsystemprojekte und Weltraum-Solarenergiesysteme, weltraumtaugliche Solarzellen und Hochleistungs-Solarmodule verwendet, die von erfahrenen Raumfahrtingenieuren entwickelt wurden.
Anwendungen
LEO, MEO, GEO und Erkundungen des Raumfahrzeugs
Flugerfahrung
Satelliten der SJ-Serie, Satelliten der GY-Serie.
Für jedes Produkt stellen wir einen strengen Testbericht zur Verfügung.
Spezifikation
1. Design und mechanische Daten
Grundmaterial |
GaInP 2/GaAs/Ge auf Ge-Substrat |
AR-Beschichtung |
TiO X /Al 2O3 |
Abmessungen |
(80,15 ± 0,05) mm × (40,15 ± 0,05) mm |
Zellbereich |
24,00 cm2 |
Gewicht |
2,025 g |
Dicke |
0,161 mm |
Deckglas |
KFB 120 |
Dicke des Deckglases |
120 ± 20 μm |
Verbindungsstecker (3× Vorderseite/1× Diode) |
Ag |
Dicke des Verbindungsstücks |
17μm |
2. Typische elektrische Parameter (SCA)
Durchschnittliche Leerlaufspannung (mV) |
2650 |
Durchschnittlicher Kurzschluss-Jsc (mA/cm 2) |
19.1 |
Spannung bei max. LeistungVm (mV) |
2350 |
Strom bei max. LeistungJm (mA/cm 2) |
18.45 |
Durchschnittlicher Wirkungsgrad η blank (1353 W/m 2) |
32 % |
Durchschnittlicher Füllfaktor |
0.850 |
Standard: AM0, 1 Sonne, 1353 W/m 2, 25 ℃.
3. Strahlungsabbau (Fluenz 1MeV)
Parameter |
1×10 15e/cm2 |
Ich/Ich0 |
0.95 |
Vm/Vm0 |
0.88 |
Uhr/Uhr0 |
0.84 |
4. Akzeptanzwerte (SCA)
Spannung V L |
2200 mV |
Min. durchschnittlicher Strom I L min @ V L |
540mA |
Min. individueller Strom I L ave @ V L |
520mA |
5. Schattenschutz (Diskrete Bypass-Diode)
V vorwärts (620mA) |
≤1,0 V |
Ich kehre um (4,0 V) |
≤0,2 mA |
6. Temperaturkoeffizienten (20 ℃～ 65℃ )
Parameter |
BOL |
1 MeV, 5×10 14e/cm2 |
1 MeV, 1×10 15e/cm2 |
|
Jsc (μA/cm 2/℃) |
11.0 |
10.0 |
13.0 |
|
Voc (mV/℃) |
-5.9 |
-6.1 |
-6.3 |
|
Jm (μA/cm 2/℃) |
9.0 |
9.5 |
15.0 |
|
Vm (mV/℃) |
-6.0 |
-6.2 |
-6.5 |
7. Schwellenwerte
Absorptionsfähigkeit |
≤ 0,92 |
|
Zugtest (bei 45°) |
≥0,83 N/mm2 |
|
Status |
Qualifiziert |
