32% 三重接合 GaAs 太陽電池 (40cm×80cm)
このセルタイプは、Ge 基板上の GaInP2/GaAs/Ge 三重接合太陽電池 (効率クラス 32%) です。太陽電池の有効面積は30cmです。2 .
太陽電池アセンブリには、個別の Si バイパス ダイオード、インターコネクタ、およびカバー ガラスが装備されています。
特徴
三重接合 GaAs 太陽電池アレイは、特定の電気アセンブリ方法で三重接合 GaAs 太陽電池アレイまたはソーラー パネルで構成されます。その特徴には、高出力、強力な耐放射線容量、および幅広い応用範囲が含まれます。
宇宙太陽光発電システムプロジェクトや宇宙太陽光発電システム、熟練した宇宙エンジニアによって設計された宇宙グレードの太陽電池、高性能ソーラーパネルに使用されます。
アプリケーション
LEO、MEO、GEOと宇宙船の探査
飛行体験
SJシリーズの衛星、GYシリーズの衛星。
各製品には厳格なテストレポートが提供されます。
仕様
1. 設計および機械データ
基材 |
GaInP /GaAs/Ge2Ge基板上の |
ARコーティング |
TiO X /Al 2O3 |
寸法 |
(80.15±0.05)mm×(40.15±0.05)mm |
細胞領域 |
24.00cm2 |
重さ |
2.025g |
厚さ |
0.161mm |
カバーガラス |
KFB120 |
カバーガラスの厚さ |
120±20μm |
インターコネクタ(フロントサイド×3/ダイオード×1) |
銀 |
インターコネクタの厚さ |
17μm |
2. 代表的な電気パラメータ (SCA)
平均開回路 Voc (mV) |
2650 |
平均短絡 Jsc (mA/cm 2) |
19.1 |
最大電圧電力Vm (mV) |
2350 |
電流 @ 最大パワーJm (mA/cm 2) |
18.45 |
平均効率η bare (1353W/m 2) |
32% |
平均フィルファクター |
0.850 |
基準：AM0、1sun、1353W/m 2、25℃。
3. 放射線劣化 (フルエンス 1MeV)
パラメータ |
1×10e 15/cm2 |
私/私0 |
0.95 |
Vm/Vm0 |
0.88 |
午後/午後0 |
0.84 |
4. 許容値 (SCA)
電圧 V L |
2200mV |
分。平均電流 I L min @ V L |
540mA |
分。個別電流 I Lave @ V L |
520mA |
5. シャドウプロテクション(ディスクリートバイパスダイオード)
V順(620mA) |
≤1.0V |
リバース）（4.0V |
≤0.2mA |
6. 温度係数（20 ℃～ 65℃ ）
パラメータ |
ボル |
1 MeV、5×10 14e/cm2 |
1 MeV、1×10 15e/cm2 |
|
Jsc (μA/cm 2/℃) |
11.0 |
10.0 |
13.0 |
|
Voc (mV/℃) |
-5.9 |
-6.1 |
-6.3 |
|
Jm(μA/cm 2/℃) |
9.0 |
9.5 |
15.0 |
|
Vm (mV/℃) |
-6.0 |
-6.2 |
-6.5 |
7. しきい値
吸収率 |
≤ 0.92 |
|
引張試験(45°) |
≧0.83N/mm2 |
|
状態 |
資格のある |
