Rumah » Produk » Modul Sel Suria » 32% Kecekapan | Tiga-Simpang Sel Suria GaAs CIC | Sel Suria Angkasa SC-3GA-4 untuk Buruj Satelit

32% Kecekapan | Tiga-Simpang Sel Suria GaAs CIC | Sel Suria Angkasa SC-3GA-4 untuk Buruj Satelit

Saiz: 80mm * 40mm
Kecekapan Minimum：32%
Model:SC-3GA-4
Luas: 3015mm ²/Ketebalan: 155±20 um
Berat:<125mg/cm ²（dengan kaca penutup dan diod pintasan）
Parameter Elektrik Biasa (AM0, 135.3mW/cm ², 25℃)
Jsc=19.1mA/cm ², Voc=2.70V, Vm=2.36V, Jm=18.5mA/cm²

model:
SC-3GA-4
Jenama:
YIM

Kuantiti:
Ketersediaan:





Tanya Tambah ke Bakul

Penerangan Produk

32% Sel Suria GaAs Persimpangan Tiga Tiga (40cm×80cm)

Jenis sel ini ialah sel solar simpang tiga substrat GaInP2/GaAs/Ge on Ge (kelas kecekapan 32%). Sel suria mempunyai luas aktif 30 cm² .

Pemasangan sel suria dilengkapi dengan diod pintasan Si diskret, penyambung dan kaca penutup.

Ciri-ciri

Tatasusunan Suria GaAs tiga simpang terdiri daripada Tatasusunan Solar GaAs simpang Tiga atau panel solar dalam cara pemasangan elektrik tertentu. Ciri-cirinya termasuk kuasa keluaran tinggi, kapasiti anti-radiasi yang kuat dan julat aplikasi yang luas.

Digunakan untuk projek sistem suria angkasa dan sistem tenaga suria angkasa, sel suria gred angkasa dan panel suria berprestasi tinggi yang direka bentuk oleh jurutera angkasa lepas mahir.

Aplikasi

LEO, MEO, GEO dan penerokaan kapal angkasa

Pengalaman penerbangan

satelit siri SJ, satelit siri GY.

Setiap produk kami akan menyediakan laporan ujian yang ketat.

Spesifikasi

1. Reka Bentuk dan Data Mekanikal

Bahan Asas	GaInP ₂/GaAs/Ge pada substrat Ge
salutan AR	TiO _X/Al ₂O₃
Dimensi	(80.15±0.05)mm×(40.15±0.05)mm
Kawasan Sel	24.00cm²
Berat badan	2.025g
Ketebalan	0.161mm
Kaca penutup	KFB 120
Ketebalan penutup kaca	120±20μm
Saling penyambung (3× bahagian hadapan/1× diod)	Ag
Ketebalan antara penyambung	17μm

2. Parameter Elektrik Biasa (SCA)

Purata Voc Litar Terbuka (mV)	2650
Purata Litar Pendek Jsc (mA/cm ²)	19.1
Voltan @ Maks. PowerVm (mV)	2350
Semasa @ Maks. KuasaJm (mA/cm ²)	18.45
Kecekapan Purata η _kosong(1353W/m ²)	32%
Faktor Pengisian Purata	0.850

Standard：AM0, 1sun, 1353W/m ², 25℃.

3. Degradasi Sinaran ( Fluence 1MeV )

Parameter	1×10 ¹⁵e/sm²
Im/Im₀	0.95
Vm/Vm₀	0.88
Pm/Pm₀	0.84

4. Nilai Penerimaan (SCA )

Voltan V _L	2200mV
Min. arus purata I _{L min} @ V _L	540mA
Min. arus individu I _{L ave} @ V _L	520mA

5. Perlindungan Bayangan (Diod pintasan diskret)

V _{ke hadapan}(620mA)	≤1.0V
Saya _terbalik(4.0V)	≤0.2mA

6. Pekali Suhu (20 ℃～ 65℃ )

Parameter	BOL	1 MeV, 5×10 ¹⁴e/cm²	1 MeV, 1×10 ¹⁵e/cm²
Jsc (μA/cm ²/ ℃)	11.0	10.0	13.0
Voc (mV/℃)	-5.9	-6.1	-6.3
Jm (μA/cm ²/ ℃)	9.0	9.5	15.0
Vm (mV/℃)	-6.0	-6.2	-6.5