32% 삼중접합 GaAs 태양전지 (40cm×80cm)
이 셀 유형은 Ge 기판의 GaInP2/GaAs/Ge 삼중 접합 태양 전지(효율 등급 32%)입니다. 태양전지의 활성 면적은 30cm입니다.2 .
태양전지 어셈블리에는 개별 Si 바이패스 다이오드, 인터커넥터 및 커버 유리가 장착되어 있습니다.
특징
삼중 접합 GaAs 태양 전지 어레이는 삼중 접합 GaAs 태양 전지 어레이 또는 특정 전기 조립 방식의 태양 전지 패널로 구성됩니다. 그 특성에는 높은 출력 전력, 강력한 방사선 방지 용량 및 넓은 적용 범위가 포함됩니다.
숙련된 우주 엔지니어가 설계한 우주 태양광 발전 시스템, 우주 태양광 발전 시스템, 우주 등급 태양 전지 및 고성능 태양광 패널에 사용됩니다.
응용
LEO,MEO,GEO 및 우주선 탐사
비행체험
SJ 시리즈 위성, GY 시리즈 위성.
각 제품에 대해 엄격한 테스트 보고서를 제공합니다.
사양
1. 설계 및 기계 데이터
기본 재료 |
Ge 기판 위의 GaInP 2/GaAs/Ge |
AR코팅 |
TiOx / 2Al2O3 |
치수 |
(80.15±0.05)mm×(40.15±0.05)mm |
셀 영역 |
24.00cm2 |
무게 |
2.025g |
두께 |
0.161mm |
커버글래스 |
KFB120 |
커버글래스 두께 |
120±20μm |
인터커넥터(3× 전면/1× 다이오드) |
Ag |
인터커넥터 두께 |
17μm |
2. 일반적인 전기 매개변수(SCA)
평균 개방 회로 Voc(mV) |
2650 |
평균 단락 Jsc(mA/cm 2) |
19.1 |
전압 @ 최대. 전력Vm(mV) |
2350 |
현재 @ 최대. 전력Jm(mA/cm 2) |
18.45 |
평균 효율 θ bare (1353W/m 2) |
32% |
평균 채우기 비율 |
0.850 |
표준: AM0, 1sun, 1353W/m 2, 25℃.
3. 방사선 열화 ( Fluence 1MeV )
매개변수 |
1×10e 15/cm2 |
나는/나는0 |
0.95 |
VM/Vm0 |
0.88 |
오후/오후0 |
0.84 |
4. 수락 값(SCA)
전압 V L |
2200mV |
최소 평균 전류 I L min @ V L |
540mA |
최소 개별 전류 I L ave @ V L |
520mA |
5. Shadow Protection(이산 바이패스 다이오드)
V 순방향 (620mA) |
1.0V 이하 |
역방향 ( 4.0V ) |
0.2mA 이하 |
6. 온도계수 (20 ℃~ 65℃ )
매개변수 |
볼 |
1MeV, 5×10e 14/cm2 |
1MeV, 1×10e 15/cm2 |
|
Jsc(μA/cm2 2/℃) |
11.0 |
10.0 |
13.0 |
|
Voc(mV/℃) |
-5.9 |
-6.1 |
-6.3 |
|
Jm(μA/cm2 2/℃) |
9.0 |
9.5 |
15.0 |
|
Vm(mV/℃) |
-6.0 |
-6.2 |
-6.5 |
7. 임계값
흡수력 |
≤ 0.92 |
|
당김 테스트(45°에서) |
≥0.83N/mm2 |
|
상태 |
자격 있는 |
