32％三重连接GAAS太阳能电池（40厘米×80cm）
该单元格类型是GE底物三重连接太阳能电池上的GAGP2/GAAS/GE（效率32％）。太阳能电池的活性面积为30 cm2。
太阳能电池组件配备了离散的SI旁路二极管，互连器和盖玻璃。
三结GAAS太阳阵列
特征
三连接GAAS太阳阵列是以某种电气组件的一定方式稳定的三结GAAS太阳能电池板或太阳能电池板。特征是高输出功率，高强抗辐射能力，较大的施用范围。
申请
Leo，Meo，Geo和航天器的探索
飞行经验
SJ系列的卫星，GY系列的卫星。
我们将提供严格的测试报告。
用于太阳能系统项目和太阳能电源系统，太空级太阳能电池以及出色的太空工程师太阳能电池板。
32％三重连接GAAS太阳能电池组件
该单元格类型是GE底物三重连接太阳能电池组件上的GAGP 2/GAAS /GE（效率32％）。太阳能电池组件配备了离散的SI旁路二极管，互连器和盖玻璃。
1. 设计和机械数据
基本材料 |
GAAS 2/GAAS /GE在GE基板上 |
AR涂层 |
tio x /al 2o3 |
方面 |
（80.15±0.05）mm×（40.15±0.05）mm |
细胞区域 |
24.00cm2 |
重量 |
2.025g |
厚度 |
0.161mm |
Coverglass |
KFB 120 |
封面厚度 |
120±20μm |
互连器（3×前侧/1×二极管） |
Ag |
互连厚度 |
17μm |
2. 典型的电参数（SCA）
平均开路VOC（MV） |
2650 |
平均短路JSC（MA/CM 2） |
19.1 |
电压 @ max。 PowerVM（MV） |
2350 |
当前 @ max。 PowerJM（MA/CM 2） |
18.45 |
平均效率ηBare （1353W/m 2） |
32％ |
平均填充因子 |
0.850 |
标准：AM0，1SUN，1353W/m 2，25℃。
3. 辐射降解（通量1MEV）
参数 |
1×10 15E/cm2 |
im/im0 |
0.95 |
VM/VM0 |
0.88 |
下午/下午0 |
0.84 |
4. 接受值（SCA）
电压v l |
2200mv |
最小。平均电流i L min @ v l |
540mA |
最小。单个电流i lave @ v l |
520mA |
5. 影子保护（离散旁路二极管）
V向前（620mA） |
≤1.0V |
我逆转（4.0V） |
≤0.2mA |
6. 系数（20 ℃～ 65）温度
参数 |
bol |
1 MEV，5×10 14E/CM2 |
1 MeV，1×10 15E/CM2 |
|
JSC（μA /cm 2/℃） |
11.0 |
10.0 |
13.0 |
|
VOC（MV/℃） |
-5.9 |
-6.1 |
-6.3 |
|
JM（μA /cm 2/℃） |
9.0 |
9.5 |
15.0 |
|
VM（MV/℃） |
-6.0 |
-6.2 |
-6.5 |
7. 阈值值
吸收性 |
≤0.92 |
|
拉测试（45°） |
≥0.83n/mm2 |
|
地位 |
合格的 |
32％三重连接GAAS太阳能电池（40厘米×80cm）
该单元格类型是GE底物三重连接太阳能电池上的GAGP2/GAAS/GE（效率32％）。太阳能电池的活性面积为30 cm2。
太阳能电池组件配备了离散的SI旁路二极管，互连器和盖玻璃。
三结GAAS太阳阵列
特征
三连接GAAS太阳阵列是以某种电气组件的一定方式稳定的三结GAAS太阳能电池板或太阳能电池板。特征是高输出功率，高强抗辐射能力，较大的施用范围。
申请
Leo，Meo，Geo和航天器的探索
飞行经验
SJ系列的卫星，GY系列的卫星。
我们将提供严格的测试报告。
用于太阳能系统项目和太阳能电源系统，太空级太阳能电池以及出色的太空工程师太阳能电池板。
32％三重连接GAAS太阳能电池组件
该单元格类型是GE底物三重连接太阳能电池组件上的GAGP 2/GAAS /GE（效率32％）。太阳能电池组件配备了离散的SI旁路二极管，互连器和盖玻璃。
1. 设计和机械数据
基本材料 |
GAAS 2/GAAS /GE在GE基板上 |
AR涂层 |
tio x /al 2o3 |
方面 |
（80.15±0.05）mm×（40.15±0.05）mm |
细胞区域 |
24.00cm2 |
重量 |
2.025g |
厚度 |
0.161mm |
Coverglass |
KFB 120 |
封面厚度 |
120±20μm |
互连器（3×前侧/1×二极管） |
Ag |
互连厚度 |
17μm |
2. 典型的电参数（SCA）
平均开路VOC（MV） |
2650 |
平均短路JSC（MA/CM 2） |
19.1 |
电压 @ max。 PowerVM（MV） |
2350 |
当前 @ max。 PowerJM（MA/CM 2） |
18.45 |
平均效率ηBare （1353W/m 2） |
32％ |
平均填充因子 |
0.850 |
标准：AM0，1SUN，1353W/m 2，25℃。
3. 辐射降解（通量1MEV）
参数 |
1×10 15E/cm2 |
im/im0 |
0.95 |
VM/VM0 |
0.88 |
下午/下午0 |
0.84 |
4. 接受值（SCA）
电压v l |
2200mv |
最小。平均电流i L min @ v l |
540mA |
最小。单个电流i lave @ v l |
520mA |
5. 影子保护（离散旁路二极管）
V向前（620mA） |
≤1.0V |
我逆转（4.0V） |
≤0.2mA |
6. 系数（20 ℃～ 65）温度
参数 |
bol |
1 MEV，5×10 14E/CM2 |
1 MeV，1×10 15E/CM2 |
|
JSC（μA /cm 2/℃） |
11.0 |
10.0 |
13.0 |
|
VOC（MV/℃） |
-5.9 |
-6.1 |
-6.3 |
|
JM（μA /cm 2/℃） |
9.0 |
9.5 |
15.0 |
|
VM（MV/℃） |
-6.0 |
-6.2 |
-6.5 |
7. 阈值值
吸收性 |
≤0.92 |
|
拉测试（45°） |
≥0.83n/mm2 |
|
地位 |
合格的 |
