SC-3GA-4スペーストリプルジャンクションGAAS太陽電池アセンブリEFF 32％.CIC

32％トリプルジャンクションGAAS太陽電池（40cm×80cm）

この細胞型は、GE基質トリプルジャンクション太陽電池のgainp2/gaas/ge（効率クラス32％）です。太陽電池の活性面積は30 cm2です。

太陽電池アセンブリには、個別のSiバイパスダイオード、インターコネクタ、カバーガラスが装備されています。

トリプルジャンクションGAASソーラーアレイ

特徴

トリプルジャンクションGAASソーラーアレイは、特定の電気アセンブリの特定の方法でのトリプルジャンクションGAASソーラーアレイまたはソーラーパネルであり、高出力電力、高い強力な発射防止能力、広いアプリケーション範囲です。

アプリケーション

レオ、Meo、宇宙船のジオと探検

フライトエクスペリエンス

SJシリーズの衛星、GYシリーズの衛星。

各製品は、厳格なテストレポートを提供します。

宇宙太陽系プロジェクトと宇宙太陽光発電システム、宇宙グレードの太陽電池、優れた宇宙エンジニアの太陽電池パネルに使用されます。

32％トリプルジャンクションGAAS太陽電池アセンブリ

   この細胞タイプはgasp /gaas /ge（効率クラス32％）です。₂、GE基質トリプルジャンクション太陽電池アセンブリの太陽電池アセンブリには、個別のSiバイパスダイオード、インターコネクタ、カバーガラスが装備されています。

1.    設計および機械データ

基本材料	gainp /gaas /ge2GE基板上の
ARコーティング	Tio X /AlO 2。3
寸法	（80.15±0.05）mm×（40.15±0.05）mm
細胞領域	24.00cm2
重さ	2.025g
厚さ	0.161mm
カバーグラス	KFB 120
カバーグラスの厚さ	120±20μm
相互接続（3×フロントサイド/1×ダイオード）	Ag
相互接続の厚さ	17μm

2.    典型的な電気パラメーター（SCA）

平均的な開回路VOC（MV）	2650
平均短絡JSC（MA/cm 2）	19.1
Voltage @ max。 PowerVM（MV）	2350
現在の @ max。 Powerjm（ma/cm 2）	18.45
平均効率ηベア （1353W/m 2）	32％
平均充填率	0.850

標準：AM0、1SUN、1353W/m ²、25℃。

3.    放射線分解（フルエンス1mev）

パラメーター	1×10 15E/cm2
im/im0	0.95
VM/VM0	0.88
PM/PM0	0.84

4.    受け入れ値（SCA）

電圧V l	2200mv
分平均電流i l min @ v l	540ma
分個々の電流i l ave @ v l	520ma

5.    影の保護（離散バイパスダイオード）

Vフォワード（620ma）	≤1.0V
逆）（4.0V	≤0.2MA

6.    温度係数（ ℃ 65）20

パラメーター	ボル	1 MEV、5×10 14E/cm2	1 MEV、1×10 15E/cm2
JSC（μa /cm 2/℃）	11.0	10.0	13.0
VOC（MV/℃）	-5.9	-6.1	-6.3
JM（μa /cm 2/℃）	9.0	9.5	15.0
VM（MV/℃）	-6.0	-6.2	-6.5

7.    しきい値

吸収性	≤0.92
テストをプル（45°）	≥0.83n/mm2
状態	資格