32% 삼중접합 GaAs 태양전지 (40cm×80cm)
이 셀 유형은 Ge 기판의 GaInP2/GaAs/Ge 삼중 접합 태양 전지(효율 등급 32%)입니다. 태양전지의 활성 면적은 30cm2입니다.
태양전지 어셈블리에는 개별 Si 바이패스 다이오드, 인터커넥터 및 커버 유리가 장착되어 있습니다.
삼중접합 GaAs 태양전지 어레이
특징
삼중 접합 GaAs 태양 전지 어레이는 삼중 접합 GaAs 태양 전지 어레이 또는 특정 전기 조립 방식의 태양 전지 패널로 구성됩니다. 특징은 높은 출력 전력, 높은 강한 방사선 방지 용량, 넓은 적용 범위입니다.
응용
LEO,MEO,GEO 및 우주선 탐사
비행체험
SJ 시리즈 위성, GY 시리즈 위성.
각 제품에 대해 엄격한 테스트 보고서를 제공합니다.
우주 태양광 발전 시스템 프로젝트 및 우주 태양광 발전 시스템, 우주 등급 태양 전지 및 우수한 우주 엔지니어 태양 전지 패널에 사용됩니다.
32% 삼중접합 GaAs 태양전지 어셈블리
이 셀 유형은 Ge 기판의 GaInP 2/GaAs/Ge 삼중 접합 태양 전지 어셈블리(효율 등급 32%)입니다. 태양전지 어셈블리에는 개별 Si 바이패스 다이오드, 인터커넥터 및 커버 유리가 장착되어 있습니다.
1. 설계 및 기계 데이터
기본 재료 |
Ge 기판 위의 GaInP 2/GaAs/Ge |
AR코팅 |
TiOx / 2Al2O3 |
치수 |
(80.15±0.05)mm×(40.15±0.05)mm |
셀 영역 |
24.00cm2 |
무게 |
2.025g |
두께 |
0.161mm |
커버글래스 |
KFB120 |
커버글래스 두께 |
120±20μm |
인터커넥터(3× 전면/1× 다이오드) |
Ag |
인터커넥터 두께 |
17μm |
2. 일반적인 전기 매개변수(SCA)
평균 개방 회로 Voc(mV) |
2650 |
평균 단락 Jsc(mA/cm 2) |
19.1 |
전압 @ 최대. 전력Vm(mV) |
2350 |
현재 @ 최대. 전력Jm(mA/cm 2) |
18.45 |
평균 효율 θ bare (1353W/m 2) |
32% |
평균 채우기 비율 |
0.850 |
표준: AM0, 1sun, 1353W/m 2, 25℃.
3. 방사선 열화 ( Fluence 1MeV )
매개변수 |
1×10e 15/cm2 |
나는/나는0 |
0.95 |
VM/Vm0 |
0.88 |
오후/오후0 |
0.84 |
4. 수락 값(SCA)
전압 V L |
2200mV |
최소 평균 전류 I L min @ V L |
540mA |
최소 개별 전류 I L ave @ V L |
520mA |
5. Shadow Protection(이산 바이패스 다이오드)
V 순방향 (620mA) |
1.0V 이하 |
역방향 ( 4.0V ) |
0.2mA 이하 |
6. 온도계수 (20 ℃~ 65℃ )
매개변수 |
볼 |
1MeV, 5×10e 14/cm2 |
1MeV, 1×10e 15/cm2 |
|
Jsc(μA/cm2 2/℃) |
11.0 |
10.0 |
13.0 |
|
Voc(mV/℃) |
-5.9 |
-6.1 |
-6.3 |
|
Jm(μA/cm2 2/℃) |
9.0 |
9.5 |
15.0 |
|
Vm(mV/℃) |
-6.0 |
-6.2 |
-6.5 |
7. 임계값
흡수력 |
≤ 0.92 |
|
당김 테스트(45°에서) |
≥0.83N/mm2 |
|
상태 |
자격 있는 |
32% 삼중접합 GaAs 태양전지 (40cm×80cm)
이 셀 유형은 Ge 기판의 GaInP2/GaAs/Ge 삼중 접합 태양 전지(효율 등급 32%)입니다. 태양전지의 활성 면적은 30cm2입니다.
태양전지 어셈블리에는 개별 Si 바이패스 다이오드, 인터커넥터 및 커버 유리가 장착되어 있습니다.
삼중접합 GaAs 태양전지 어레이
특징
삼중 접합 GaAs 태양 전지 어레이는 삼중 접합 GaAs 태양 전지 어레이 또는 특정 전기 조립 방식의 태양 전지 패널로 구성됩니다. 특징은 높은 출력 전력, 높은 강한 방사선 방지 용량, 넓은 적용 범위입니다.
응용
LEO,MEO,GEO 및 우주선 탐사
비행체험
SJ 시리즈 위성, GY 시리즈 위성.
각 제품에 대해 엄격한 테스트 보고서를 제공합니다.
우주 태양광 발전 시스템 프로젝트 및 우주 태양광 발전 시스템, 우주 등급 태양 전지 및 우수한 우주 엔지니어 태양 전지 패널에 사용됩니다.
32% 삼중접합 GaAs 태양전지 어셈블리
이 셀 유형은 Ge 기판의 GaInP 2/GaAs/Ge 삼중 접합 태양 전지 어셈블리(효율 등급 32%)입니다. 태양전지 어셈블리에는 개별 Si 바이패스 다이오드, 인터커넥터 및 커버 유리가 장착되어 있습니다.
1. 설계 및 기계 데이터
기본 재료 |
Ge 기판 위의 GaInP 2/GaAs/Ge |
AR코팅 |
TiOx / 2Al2O3 |
치수 |
(80.15±0.05)mm×(40.15±0.05)mm |
셀 영역 |
24.00cm2 |
무게 |
2.025g |
두께 |
0.161mm |
커버글래스 |
KFB120 |
커버글래스 두께 |
120±20μm |
인터커넥터(3× 전면/1× 다이오드) |
Ag |
인터커넥터 두께 |
17μm |
2. 일반적인 전기 매개변수(SCA)
평균 개방 회로 Voc(mV) |
2650 |
평균 단락 Jsc(mA/cm 2) |
19.1 |
전압 @ 최대. 전력Vm(mV) |
2350 |
현재 @ 최대. 전력Jm(mA/cm 2) |
18.45 |
평균 효율 θ bare (1353W/m 2) |
32% |
평균 채우기 비율 |
0.850 |
표준: AM0, 1sun, 1353W/m 2, 25℃.
3. 방사선 열화 ( Fluence 1MeV )
매개변수 |
1×10e 15/cm2 |
나는/나는0 |
0.95 |
VM/Vm0 |
0.88 |
오후/오후0 |
0.84 |
4. 수락 값(SCA)
전압 V L |
2200mV |
최소 평균 전류 I L min @ V L |
540mA |
최소 개별 전류 I L ave @ V L |
520mA |
5. Shadow Protection(이산 바이패스 다이오드)
V 순방향 (620mA) |
1.0V 이하 |
역방향 ( 4.0V ) |
0.2mA 이하 |
6. 온도계수 (20 ℃~ 65℃ )
매개변수 |
볼 |
1MeV, 5×10e 14/cm2 |
1MeV, 1×10e 15/cm2 |
|
Jsc(μA/cm2 2/℃) |
11.0 |
10.0 |
13.0 |
|
Voc(mV/℃) |
-5.9 |
-6.1 |
-6.3 |
|
Jm(μA/cm2 2/℃) |
9.0 |
9.5 |
15.0 |
|
Vm(mV/℃) |
-6.0 |
-6.2 |
-6.5 |
7. 임계값
흡수력 |
≤ 0.92 |
|
당김 테스트(45°에서) |
≥0.83N/mm2 |
|
상태 |
자격 있는 |
