SC-3GA-1
Yim
| Kuantiti: | |
|---|---|
Penerangan Teknikal SC-3GA-1-12
Digunakan untuk projek sistem solar ruang dan sistem tenaga solar ruang, sel solar gred ruang, dan jurutera ruang angkasa yang sangat baik.
1. Reka bentuk dan data mekanikal
Bahan asas |
Gainp2/GaAs/GE pada substrat GE |
AR-COATING |
TiO X /Al 2O3 |
Dimensi |
40mm × 30mm |
Kawasan sel |
12.00cm2 |
Berat |
(145 ± 12) mg/cm2 |
Ketebalan |
0.36 ± 0.02mm |
Coverglass |
KFB 120 |
Ketebalan penutup |
120 ± 20μm |
Interconnectors (2 × bahagian depan/1 × diod) |
Ag |
Ketebalan interconnector |
17μm |
2. Parameter elektrik biasa (SCA)
VOC litar terbuka purata (MV) |
2630 |
Purata litar pintas JSC (MA/cm 2) |
17.0 |
Kecekapan purata η kosong (1367W/m 2) |
27.5% |
Faktor pengisian purata |
0.840 |
Standard: AM0, 1SUN, 1353W/m 2, 25 ℃.
3. Degradasi Sinaran (Fluence 1MEV)
Parameter |
1 × 10 14E/cm2 |
5 × 10 14E/cm2 |
1 × 10 15E/cm2 |
Im/im0 |
0.99 |
0.96 |
0.92 |
VM/VM0 |
0.94 |
0.92 |
0.90 |
PM/PM0 |
0.93 |
0.88 |
0.83 |
4. Nilai Penerimaan (SCA)
Voltan v l |
2200mv |
Min. purata semasa saya l min @ v l |
190mA |
Min. individu semasa i l ave @ v l |
170mA |
5. Perlindungan Shadow (Diod Bypass Bersepadu)
V Forward (250mA) |
≤4.0v |
Saya terbalik (4.0v) |
≤1.0mA |
6. Koefisien suhu (15 ℃ ～ 75℃ )
Parameter |
Bol |
1 MeV, 5 × 10 14E/cm2 |
Jsc (ua /cm 2/℃) |
5.0 |
6.0 |
VOC (mv/℃) |
-6.4 |
-6.8 |
7. Nilai ambang
Penyerapan |
≤ 0.92 |
Emittance (normal) |
0.84 ± 0.02 |
Ujian Tarik (pada 45 °) |
≥0.83n/mm2 |
Status |
Berkelayakan |
Penerangan Teknikal SC-3GA-1-12
Digunakan untuk projek sistem solar ruang dan sistem tenaga solar ruang, sel solar gred ruang, dan jurutera ruang angkasa yang sangat baik.
1. Reka bentuk dan data mekanikal
Bahan asas |
Gainp2/GaAs/GE pada substrat GE |
AR-COATING |
TiO X /Al 2O3 |
Dimensi |
40mm × 30mm |
Kawasan sel |
12.00cm2 |
Berat |
(145 ± 12) mg/cm2 |
Ketebalan |
0.36 ± 0.02mm |
Coverglass |
KFB 120 |
Ketebalan penutup |
120 ± 20μm |
Interconnectors (2 × bahagian depan/1 × diod) |
Ag |
Ketebalan interconnector |
17μm |
2. Parameter elektrik biasa (SCA)
VOC litar terbuka purata (MV) |
2630 |
Purata litar pintas JSC (MA/cm 2) |
17.0 |
Kecekapan purata η kosong (1367W/m 2) |
27.5% |
Faktor pengisian purata |
0.840 |
Standard: AM0, 1SUN, 1353W/m 2, 25 ℃.
3. Degradasi Sinaran (Fluence 1MEV)
Parameter |
1 × 10 14E/cm2 |
5 × 10 14E/cm2 |
1 × 10 15E/cm2 |
Im/im0 |
0.99 |
0.96 |
0.92 |
VM/VM0 |
0.94 |
0.92 |
0.90 |
PM/PM0 |
0.93 |
0.88 |
0.83 |
4. Nilai Penerimaan (SCA)
Voltan v l |
2200mv |
Min. purata semasa saya l min @ v l |
190mA |
Min. individu semasa i l ave @ v l |
170mA |
5. Perlindungan Shadow (Diod Bypass Bersepadu)
V Forward (250mA) |
≤4.0v |
Saya terbalik (4.0v) |
≤1.0mA |
6. Koefisien suhu (15 ℃ ～ 75℃ )
Parameter |
Bol |
1 MeV, 5 × 10 14E/cm2 |
Jsc (ua /cm 2/℃) |
5.0 |
6.0 |
VOC (mv/℃) |
-6.4 |
-6.8 |
7. Nilai ambang
Penyerapan |
≤ 0.92 |
Emittance (normal) |
0.84 ± 0.02 |
Ujian Tarik (pada 45 °) |
≥0.83n/mm2 |
Status |
Berkelayakan |
