三重接合太陽電池 GaAs CIC | 30% の効率 | SC-3GA-1 衛星用宇宙用太陽電池

三重接合GaAs太陽電池 効率30%(40cm×30cm)

このセルタイプは、Ge 基板上の GaInP2/GaAs/Ge 三重接合太陽電池 (効率クラス 30%) です。太陽電池の有効面積は 12cm2 です。

太陽電池アセンブリには、個別の Si バイパス ダイオード、インターコネクタ、およびカバー ガラスが装備されています。

特徴

三重接合 GaAs 太陽電池アレイは、特定の電気アセンブリ方法で三重接合 GaAs 太陽電池アレイまたはソーラー パネルで構成されます。その特徴には、高出力、強力な耐放射線容量、および幅広い応用範囲が含まれます。

宇宙太陽光発電システムプロジェクトや宇宙太陽光発電システム、熟練した宇宙エンジニアによって設計された宇宙グレードの太陽電池、高性能ソーラーパネルに使用されます。

アプリケーション

LEO、MEO、GEOと宇宙船の探査

飛行体験

SJシリーズの衛星、GYシリーズの衛星。

各製品には厳格なテストレポートが提供されます。

仕様

1. 設計および機械データ

基材	Ge基板上のGaInP2/GaAs/Ge
ARコーティング	TiO X /Al 2O3
寸法	40mm×30mm
細胞領域	12.00cm2
重さ	(145±12)mg/cm2
厚さ	0.36±0.02mm
カバーガラス	KFB120
カバーガラスの厚さ	120±20μm
インターコネクター(フロントサイド×2/ダイオード×1)	銀
インターコネクタの厚さ	17μm

2. 代表的な電気パラメータ (SCA)

平均開回路 Voc (mV)	2630
平均短絡 Jsc (mA/cm 2)	17.0
平均効率η bare (1367W/m 2)	27.5%
平均フィルファクター	0.840

基準：AM0、1sun、1353W/m ²、25℃。

3. 放射線劣化 (フルエンス 1MeV)

パラメータ	1×10e 14/cm2	5×10e 14/cm2	1×10e 15/cm2
私/私0	0.99	0.96	0.92
Vm/Vm0	0.94	0.92	0.90
午後/午後0	0.93	0.88	0.83

4. 許容値 (SCA)

電圧 V L	2200mV
分。平均電流 I L min @ V L	190mA
分。個別電流 I Lave @ V L	170mA

5. シャドウプロテクション(バイパスダイオード内蔵)

V順(250mA)	≤4.0V
リバース）（4.0V	≤1.0mA

6. 温度係数（15 ℃ ～ 75℃ ）

パラメータ	ボル	1 MeV、5×10 14e/cm2
Jsc (uA/cm 2/℃)	5.0	6.0
Voc (mV/℃)	-6.4	-6.8

7. しきい値

吸収率	≤ 0.92
エミッタンス(ノーマル)	0.84±0.02
引張試験(45°)	≧0.83N/mm2
状態	資格のある

よくある質問：

なぜ GEO 衛星の劣化が早いのでしょうか?

ミッションの長期化と積載量の増加により、放射線による被害が加速します。