SC-3GA-1
YIM
| Ilość: | |
|---|---|
Ogniwo słoneczne GaAs z potrójnym złączem, wydajność 30% (40 cm × 30 cm)
Ten typ ogniw to ogniwo słoneczne z potrójnym złączem GaInP2/GaAs/Ge na podłożu Ge (klasa wydajności 30%). Ogniwo słoneczne ma powierzchnię czynną 12 cm2.
Zespół ogniw słonecznych jest wyposażony w dyskretną diodę obejściową Si, złącza i szybę osłonową.
Funkcja
Trójzłączowy układ słoneczny GaAs składa się z trójzłączowego układu słonecznego GaAs lub paneli słonecznych w określonym sposobie montażu elektrycznego. Jego charakterystyka obejmuje wysoką moc wyjściową, dużą zdolność przeciwpromieniowania i szeroki zakres zastosowań.
Wykorzystywany w projektach kosmicznych układów słonecznych i kosmicznych systemach energii słonecznej, kosmicznych ogniwach słonecznych i wysokowydajnych panelach słonecznych zaprojektowanych przez wykwalifikowanych inżynierów kosmicznych.
Aplikacje
LEO,MEO,GEO i eksploracje statku kosmicznego
Doświadczenie lotu
satelity serii SJ, satelity serii GY.
Dla każdego produktu przedstawimy rygorystyczny raport z testów.
Specyfikacja
1. Dane projektowe i mechaniczne
Materiał bazowy |
GaInP2/GaAs/Ge na podłożu Ge |
Powłoka AR |
TiOX / 2AlO3 |
Wymiary |
40mm×30mm |
Obszar komórki |
12,00cm2 |
Waga |
(145±12) mg/cm32 |
Grubość |
0,36 ± 0,02 mm |
Szkło nakrywkowe |
KFB 120 |
Grubość szkiełka nakrywkowego |
120±20μm |
Interkonektory (2× przód/1× dioda) |
Ag |
Grubość złącza |
17μm |
2. Typowe parametry elektryczne (SCA)
Średni Voc w obwodzie otwartym (mV) |
2630 |
Średnie zwarcie Jsc (mA/cm 2) |
17.0 |
Średnia wydajność η goła (1367 W/m 2) |
27,5% |
Średni współczynnik wypełnienia |
0.840 |
Standard: AM0, 1 słońce, 1353 W/m 2, 25 ℃.
3. Degradacja radiacyjna (fluencja 1MeV)
Parametry |
1×10 14e/cm2 |
5×10 14e/cm2 |
1×10 15e/cm2 |
Jestem/Jestem0 |
0.99 |
0.96 |
0.92 |
VM/VM0 |
0.94 |
0.92 |
0.90 |
P.M./P.M0 |
0.93 |
0.88 |
0.83 |
4. Wartości akceptacji (SCA)
Napięcie V L |
2200mV |
Min. prąd średni I L min @ V L |
190mA |
Min. prąd indywidualny I L ave @ V L |
170 mA |
5. Ochrona przed cieniami (zintegrowana dioda obejściowa)
V do przodu (250 mA) |
≤4,0 V |
Cofam )(4,0 V |
≤1,0 mA |
6. Współczynniki temperaturowe (15 ℃ ～ 75℃ )
Parametry |
BOL |
1 MeV, 5×10 14e/cm2 |
Jsc (uA/cm 2/℃) |
5.0 |
6.0 |
Voc (mV/℃) |
-6.4 |
-6.8 |
7. Wartości progowe
Chłonność |
≤ 0,92 |
Emitancja (normalna) |
0,84±0,02 |
Test rozciągania (przy 45°) |
≥0,83 N/mm2 |
Status |
Wykwalifikowany |
Często zadawane pytania:
Dłuższe misje i większe zapotrzebowanie na ładunek przyspieszają uszkodzenia radiacyjne.
