技術説明 SC-3GA-1-12
宇宙太陽光発電システムプロジェクトや宇宙太陽光発電システム、宇宙グレードの太陽電池、優秀な宇宙エンジニアのソーラーパネルに使用されます。
1. 設計および機械データ
基材 |
Ge基板上のGaInP2/GaAs/Ge |
ARコーティング |
TiO X /Al 2O3 |
寸法 |
40mm×30mm |
細胞領域 |
12.00cm2 |
重さ |
(145±12)mg/cm2 |
厚さ |
0.36±0.02mm |
カバーガラス |
KFB120 |
カバーガラスの厚さ |
120±20μm |
インターコネクター(フロントサイド×2/ダイオード×1) |
銀 |
インターコネクタの厚さ |
17μm |
2. 代表的な電気パラメータ (SCA)
平均開回路 Voc (mV) |
2630 |
平均短絡 Jsc (mA/cm 2) |
17.0 |
平均効率η bare (1367W/m 2) |
27.5% |
平均フィルファクター |
0.840 |
規格：AM0、1sun、1353W/m 2、25℃。
3. 放射線劣化 (フルエンス 1MeV)
パラメータ |
1×10e 14/cm2 |
5×10e 14/cm2 |
1×10e 15/cm2 |
私/私0 |
0.99 |
0.96 |
0.92 |
Vm/Vm0 |
0.94 |
0.92 |
0.90 |
午後/午後0 |
0.93 |
0.88 |
0.83 |
4. 許容値 (SCA)
電圧 V L |
2200mV |
分。平均電流 I L min @ V L |
190mA |
分。個別電流 I Lave @ V L |
170mA |
5. シャドウプロテクション(バイパスダイオード内蔵)
V順(250mA) |
≤4.0V |
リバース）（4.0V |
≤1.0mA |
6. 温度係数（15 ℃ ～ 75℃ ）
パラメータ |
ボル |
1 MeV、5×10 14e/cm2 |
Jsc (uA/cm 2/℃) |
5.0 |
6.0 |
Voc (mV/℃) |
-6.4 |
-6.8 |
7. しきい値
吸収率 |
≤ 0.92 |
エミッタンス(ノーマル) |
0.84±0.02 |
引張試験(45°) |
≧0.83N/mm2 |
状態 |
資格のある |
技術説明 SC-3GA-1-12
宇宙太陽光発電システムプロジェクトや宇宙太陽光発電システム、宇宙グレードの太陽電池、優秀な宇宙エンジニアのソーラーパネルに使用されます。
1. 設計および機械データ
基材 |
Ge基板上のGaInP2/GaAs/Ge |
ARコーティング |
TiO X /Al 2O3 |
寸法 |
40mm×30mm |
細胞領域 |
12.00cm2 |
重さ |
(145±12)mg/cm2 |
厚さ |
0.36±0.02mm |
カバーガラス |
KFB120 |
カバーガラスの厚さ |
120±20μm |
インターコネクター(フロントサイド×2/ダイオード×1) |
銀 |
インターコネクタの厚さ |
17μm |
2. 代表的な電気パラメータ (SCA)
平均開回路 Voc (mV) |
2630 |
平均短絡 Jsc (mA/cm 2) |
17.0 |
平均効率η bare (1367W/m 2) |
27.5% |
平均フィルファクター |
0.840 |
規格：AM0、1sun、1353W/m 2、25℃。
3. 放射線劣化 (フルエンス 1MeV)
パラメータ |
1×10e 14/cm2 |
5×10e 14/cm2 |
1×10e 15/cm2 |
私/私0 |
0.99 |
0.96 |
0.92 |
Vm/Vm0 |
0.94 |
0.92 |
0.90 |
午後/午後0 |
0.93 |
0.88 |
0.83 |
4. 許容値 (SCA)
電圧 V L |
2200mV |
分。平均電流 I L min @ V L |
190mA |
分。個別電流 I Lave @ V L |
170mA |
5. シャドウプロテクション(バイパスダイオード内蔵)
V順(250mA) |
≤4.0V |
リバース）（4.0V |
≤1.0mA |
6. 温度係数（15 ℃ ～ 75℃ ）
パラメータ |
ボル |
1 MeV、5×10 14e/cm2 |
Jsc (uA/cm 2/℃) |
5.0 |
6.0 |
Voc (mV/℃) |
-6.4 |
-6.8 |
7. しきい値
吸収率 |
≤ 0.92 |
エミッタンス(ノーマル) |
0.84±0.02 |
引張試験(45°) |
≧0.83N/mm2 |
状態 |
資格のある |
