属于闪锌矿型晶格结构，晶格常数为5.65×10-10m，熔点1237℃，带隙1.4ev。砷化镓，化学式GaAs。黑灰色固体，熔点1238℃。在600℃以下的空气中能稳定存在，不被非氧化性酸侵蚀。由于砷化镓晶体非常稳定，所以如果人体吸收少量的砷化镓，可以忽略不计。当晶圆抛光过程（研磨GaAs晶圆，使表面颗粒变小）时，表面区域会与水发生反应，释放或分解出少量As。

    由于在生产中更有效地使用材料并且整体系统性能得到改善，光伏（PV）系统的环境条件正在变得更好。我们的分析详细介绍了高聚光光伏系统生命周期中的材料和能源库存，并根据实测的现场性能评估其能量回收时间、生命周期温室气体排放以及土地和水的利用。虽然高聚光光伏系统的运行需要大量的维护，但其生命周期环境负荷远低于相同高日照地区运行的平板晶硅系统。

    砷化镓可制成半绝缘高阻材料，其电阻率比硅、锗高3个数量级以上，可用于制作集成电路基板、红外探测器γ光子探测器等。由于其电子迁移率比硅高5～6倍，因此被广泛应用于微波器件和高速数字电路的制造。用GaAs制成的半导体器件具有高频、高温和低温性能好、噪声低、抗辐射能力强等优点。此外，它还可以用来制作传递装置——音量效果装置。砷化镓是一种半导体材料，具有很多优点，但用它制成的晶体三极管放大倍数小，导热性差，不适合制作大功率器件。虽然砷化镓具有优越的性能，但由于其在高温下分解，技术上要求生产具有理想化学配比的高纯度单晶材料。