Kafes sabiti 5,65 × 10-10 m, erime noktası 1237 ℉, bant aralığı 1,4 ev olan sfalerit tipi kafes yapısına aittir. Galyum arsenit, kimyasal formül GaAs. Siyah gri katı, erime noktası 1238 °C. 600 °C'nin altındaki havada stabil olarak bulunabilir ve oksitleyici olmayan asitler tarafından aşınmaz. GaAs kristalleri çok kararlı olduğundan vücut az miktarda GaAs emerse bu göz ardı edilebilir. Gofret parlatma işlemi sırasında (yüzey parçacıklarını daha küçük hale getirmek için GaAs gofretinin öğütülmesi), yüzey alanı bir miktar As salmak veya ayrıştırmak için suyla reaksiyona girecektir.

    Fotovoltaik (PV) sistemlerin çevresel koşulları iyileşiyor çünkü üretimlerinde malzemeler daha etkin kullanılıyor ve genel sistem performansı artıyor. Analizimiz, yüksek konsantrasyonlu fotovoltaik sistemin yaşam döngüsündeki malzeme ve Enerji Envanterini detaylandırmakta ve ölçülen saha performansına göre enerji geri kazanım süresini, yaşam döngüsü sera gazı emisyonlarını ve arazi ve su kullanımını değerlendirmektedir. Yüksek konsantrasyonlu fotovoltaik sistemin çalışması çok fazla bakım gerektirse de yaşam döngüsündeki çevresel yük, aynı yüksek güneş ışığı alan bölgesinde çalışan düz panel c-Si sistemine göre çok daha düşüktür.

    Galyum arsenit, entegre devre alt katmanları, kızılötesi dedektörler γ Foton dedektörü vb. yapmak için kullanılabilen silikon ve germanyumdan 3 kat daha yüksek dirençli yarı yalıtkan yüksek dirençli malzemelere dönüştürülebilir. Elektron hareketliliği silikonunkinden 5 ~ 6 kat daha yüksek olduğundan, mikrodalga cihazlarının ve yüksek hızlı dijital devrelerin imalatında yaygın olarak kullanılmaktadır. GaAs'tan yapılmış yarı iletken cihazlar, yüksek frekans, yüksek sıcaklık ve düşük sıcaklık performansı, düşük gürültü ve güçlü radyasyon direnci avantajlarına sahiptir. Ayrıca aktarım cihazları - ses efekti cihazları yapmak için de kullanılabilir. Galyum arsenit birçok avantajı olan yarı iletken bir malzemedir, ancak bununla yapılan kristal triyot küçük bir büyütme oranına ve zayıf termal iletkenliğe sahiptir, bu nedenle yüksek güçlü cihazların yapımı için uygun değildir. Galyum arsenit üstün özelliklere sahip olmasına rağmen yüksek sıcaklıkta bozunması nedeniyle teknik olarak ideal kimyasal orana sahip yüksek saflıkta tek kristal malzemelerin üretilmesi gerekmektedir.