三结砷化镓太阳能电池基本性能参数
产品特点
三结砷化镓太阳能电池以锗为衬底，由三个N/P结构子电池通过结串联而成，效率高、抗辐射能力强。
应用领域
低轨飞行器、中轨飞行器、高轨飞行器（纳卫星、小卫星、商业卫星、大卫星、无人机等）
基础数据
砷化镓电池材料：三结砷化镓（GaInP2/GaAs/GeGe衬底）
砷化镓电池尺寸：(80.15±0.05)mm*(40.15±0.05)mm
砷化镓电池面积：30.15c㎡
砷化镓电池厚度：0.36±0.02mm
砷化镓电池重量：（125±12）mg/c㎡
反射膜：TiOx / Al2O3
玻璃盖板：KFB120
盖板厚度：120±20μm
互连片材质: 银/镀银
互连片厚度：20 / 25 μm
电性能数据（AM 0,1SUN,1353w/㎡,25℃）
平均开路电压Voc（mV）：2740
Joc平均短路电流密度（mA/c㎡）：17.4
更大电源电压：Vm（毫伏）：2430
Joc更大功率电流密度（mA/c㎡）：16.7
η基平均转换效率：30%
填充系数：0.850
照射强度：（AM 0,1 SUN, 1353w/㎡, 25℃）
照射强度为1*1014e/cm2 5*1014e/cm2 1*1015e/cm2
伊莫/伊莫 0.99 0.97 0.94
Vm/Vmo 0.96 0.93 0.92
颗粒/颗粒 0.95 0.90 0.86
设计价值
电压Vl(mV)2350；平均电流 Ll ave (mA) 500；很小电流 Ll min (mA) 480
二极管保护
正向电压（620mA）≤1.0V；反向(4.0V)≤50μA
其他参数
吸收系数0.92；承受拉力0.83N/mm2
温度系数
辐射强度分别为BOL 1MeV、5*1014e/cm2 1MeV、1*1015e/cm2
Jsc(μA/cm2/C) 11.0 10.0 13.0
开路电压(mV/℃) -5.9 -6.1 -6.3
Jm(μA/cm2/℃) 9.0 9.5 15.0
Vm(mV/℃) -6.0 -6.2 -6.5
