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GaAs太陽電池の基本性能パラメータ

ビュー: 0     著者: サイト編集者 公開時間: 2024-03-29 起源: サイト

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3接合ガリウムヒ素太陽電池の基本性能パラメータ

製品の特徴

3接合ガリウム砒素太陽電池は基板としてゲルマニウムを使用し、接合直列による3つのN/P構造サブセルで形成されており、高効率で強い放射線耐性を備えています。

応用分野

低軌道航空機、中軌道航空機、高軌道航空機(超小型衛星、小型衛星、商用衛星、大型衛星、ドローン等)

ベースデータ

ガリウムヒ素電池材料:三重接合ガリウムヒ素(GaInP2 / GaAs / GeGe基板)

ガリウムヒ素電池のサイズ: (80.15 ± 0.05) mm * (40.15 ± 0.05) mm

ガリウムヒ素電池面積:30.15c㎡

ガリウムヒ素電池の厚さ:0.36±0.02mm

ガリウムヒ素電池重量: (125 ± 12) mg / c ㎡

反射膜:TiOx / Al2O3

ガラスカバープレート:KFB120

カバープレートの厚さ:120±20μm

連結シート材質:銀/銀メッキ

配線シートの厚さ:20/25μm

電気的性能データ(AM 0,1SUN、1353w/㎡、25℃)

平均開放電圧 Voc (mV): 2740

Jocの平均短絡電流密度(mA/c㎡):17.4

最大電源電圧:Vm(mV):2430

Jocの最大電力電流密度(mA/c㎡):16.7

ηbaseの平均変換効率:30%

充填率: 0.850

照射強度:(AM0.1SUN、1353w/㎡、25℃)

照射強度は 1*1014e/cm2 5*1014e/cm2 1*1015e/cm2 でした。

イム/イモ 0.99 0.97 0.94

Vm/Vmo 0.96 0.93 0.92

午後/午後 0.95 0.90 0.86

設計値

電圧V1(mV)2350;平均電流 Ll ave (mA) 500;最小電流 Ll min (mA) 480

ダイオード保護

Vforward(620mA) ≤1.0V ;逆方向(4.0V) ≤50μA

その他のパラメータ

吸収係数0.92、耐引張力0.83N/mm2

温度係数

放射線強度はBOL 1MeV、5 * 1014e / cm2 1MeV、および1 * 1015e / cm2でした。

Jsc(μA/cm2/℃) 11.0 10.0 13.0

Voc(mV/℃) -5.9 -6.1 -6.3

Jm(μA/cm2/℃) 9.0 9.5 15.0

Vm(mV/℃) -6.0 -6.2 -6.5



Shanghai YIM of Space Power-sources は、中国航天集団 (CASC) の宇宙用太陽電池製品の供給を専門としています。上海 YIM の主な業務には、製品の設計、供給、テスト、新製品の研究が含まれます。

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