GaAs太陽電池の基本性能パラメータ
ビュー: 0 著者: サイト編集者 公開時間: 2024-03-29 起源: サイト
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3接合ガリウムヒ素太陽電池の基本性能パラメータ
製品の特徴
3接合ガリウム砒素太陽電池は基板としてゲルマニウムを使用し、接合直列による3つのN/P構造サブセルで形成されており、高効率で強い放射線耐性を備えています。
応用分野
低軌道航空機、中軌道航空機、高軌道航空機(超小型衛星、小型衛星、商用衛星、大型衛星、ドローン等)
ベースデータ
ガリウムヒ素電池材料:三重接合ガリウムヒ素(GaInP2 / GaAs / GeGe基板)
ガリウムヒ素電池のサイズ: (80.15 ± 0.05) mm * (40.15 ± 0.05) mm
ガリウムヒ素電池面積:30.15c㎡
ガリウムヒ素電池の厚さ:0.36±0.02mm
ガリウムヒ素電池重量: (125 ± 12) mg / c ㎡
反射膜:TiOx / Al2O3
ガラスカバープレート:KFB120
カバープレートの厚さ:120±20μm
連結シート材質:銀/銀メッキ
配線シートの厚さ:20/25μm
電気的性能データ(AM 0,1SUN、1353w/㎡、25℃)
平均開放電圧 Voc (mV): 2740
Jocの平均短絡電流密度(mA/c㎡):17.4
最大電源電圧:Vm(mV):2430
Jocの最大電力電流密度(mA/c㎡):16.7
ηbaseの平均変換効率:30%
充填率: 0.850
照射強度:(AM0.1SUN、1353w/㎡、25℃)
照射強度は 1*1014e/cm2 5*1014e/cm2 1*1015e/cm2 でした。
イム/イモ 0.99 0.97 0.94
Vm/Vmo 0.96 0.93 0.92
午後/午後 0.95 0.90 0.86
設計値
電圧V1(mV)2350;平均電流 Ll ave (mA) 500;最小電流 Ll min (mA) 480
ダイオード保護
Vforward(620mA) ≤1.0V ;逆方向(4.0V) ≤50μA
その他のパラメータ
吸収係数0.92、耐引張力0.83N/mm2
温度係数
放射線強度はBOL 1MeV、5 * 1014e / cm2 1MeV、および1 * 1015e / cm2でした。
Jsc(μA/cm2/℃) 11.0 10.0 13.0
Voc(mV/℃) -5.9 -6.1 -6.3
Jm(μA/cm2/℃) 9.0 9.5 15.0
Vm(mV/℃) -6.0 -6.2 -6.5