SC-3GA-3
YIM
| Ilość: | |
|---|---|
Ogniwo słoneczne GaAs z potrójnym złączem, wydajność 30% (80 cm × 40 cm)
Ten typ ogniw to ogniwo słoneczne z potrójnym złączem GaInP2/GaAs/Ge na podłożu Ge (klasa wydajności 30%). Ogniwo słoneczne ma powierzchnię aktywną 3015 mm2 .
Zespół ogniw słonecznych jest wyposażony w dyskretną diodę obejściową Si, złącza i szybę osłonową.
Funkcja
Ogniwo słoneczne GaAs z potrójnym złączem składa się z dolnego ogniwa germanowego (Ge), środkowego ogniwa indowo-galowo-arsenowego (InGaAs) i górnego ogniwa galowo-indowo-fosforowego (GaInP2) połączonych szeregowo, o strukturze ogniwa n/p.
Typowa wydajność konwersji fotoelektrycznej wynosi 30%, a typowe wymiary to 80,0 mm x 40,0 mm x 0,155 mm.
Szkło osłonowe
Szyba nakrywkowa wykonana jest ze szkła nakrywkowego odpornego na promieniowanie, z naparowaną na powierzchni folią MgF2, szerokość ubytku krawędzi folii MgF2 na skutek obróbki nie przekracza 0,5 mm, a całkowita powierzchnia ubytku nie przekracza 5% całkowitej powierzchni szkła nakrywkowego.
Typowe wymiary szkła osłonowego to 80,15 mm x 40,15 mm x 0,12 mm.
Diody obejściowe
Diody obejściowe wykorzystują diody krzemowe.
W przypadku braku światła i przy przyłożonym prądzie zwarciowym wynoszącym 1,2 Isc napięcie w stanie włączenia diody krzemowej jest mniejsze niż 1,0 V.
W przypadku braku światła i przyłożonego napięcia wstecznego -4V, wsteczny prąd upływowy diody krzemowej jest mniejszy niż 10μA
Typowe wymiary to 10,0 mm x 10,0 mm x 0,17 mm
Łączące się elementy
Elementy łączące to interkonekty posrebrzane z zewnętrzną warstwą srebra o grubości 30µm±5µm, którego czystość wynosi nie mniej niż 99,95%.
Element łączący posiada pierścień odciążający, który jest nienaruszony i nieuszkodzony
Pierścienie odciążające element łączący przetestowane pod kątem zmęczenia i bez pęknięć.
Typowy wymiar to 8,0 mm x 6,5 mm x 0,03 mm.
Wykorzystywany w projektach kosmicznych układów słonecznych i kosmicznych systemach energii słonecznej, kosmicznych ogniwach słonecznych i wysokowydajnych panelach słonecznych zaprojektowanych przez wykwalifikowanych inżynierów kosmicznych.
Aplikacje
LEO,MEO,GEO i eksploracje statku kosmicznego
Doświadczenie lotu
satelity serii SJ, satelity serii GY.
Dla każdego produktu przedstawimy rygorystyczny raport z testów.
Specyfikacja
1. Dane projektowe i mechaniczne
Materiał bazowy |
GaInP 2/GaAs/Ge na podłożu Ge |
Powłoka AR |
TiOX / 2AlO3 |
Wymiary |
（80,15 mm ± 0,1 mm）× （40,15 mm ± 0,1 mm） |
Obszar komórki |
30,15 cm2 |
Waga |
(125±12) mg/cm32 |
Grubość |
0,30 mm ± 0,05 mm |
Szkło nakrywkowe |
KFB 120 |
Grubość szkiełka nakrywkowego |
120±20μm |
Łączniki |
Kovar, posrebrzany |
Grubość złącza |
35μm |
|
|
2. Typowe parametry elektryczne (SCA)
Średni Voc w obwodzie otwartym (mV) |
2740 |
Średnie zwarcie Jsc (mA/cm 2) |
17.3 |
Napięcie @ maks. MocVm (mV) |
2430 |
Prąd @ Maks. Moc Jm (mA/cm 2) |
16.6 |
Średnia wydajność η goła (1353 W/m 2) |
30% |
3. Degradacja radiacyjna (fluencja 1MeV)
Parametry |
1×10 14e/cm2 |
5×10 14e/cm2 |
1×10 15e/cm2 |
Jestem/Jestem0 |
0.98 |
0.96 |
0.93 |
VM/VM0 |
0.96 |
0.92 |
0.90 |
P.M./P.M0 |
0.94 |
0.88 |
0.84 |
4. Wartości akceptacji (SCA)
Napięcie V L |
2300mV |
Min. prąd średni I L min @ V L |
500mA |
Min. prąd indywidualny I L ave @ V L |
480 mA |
5. Ochrona przed cieniami (dyskretna dioda obejściowa)
V do przodu (620mA) |
≤1,0 V |
Cofam )(4,0 V |
≤0,2mA |
6. Współczynniki temperaturowe ( 20℃ ～ 65℃ )
Parametry |
BOL |
1 MeV, 5×10 14e/cm2 |
1 MeV, 1×10 15e/cm2 |
Jsc (μA/cm 2/℃) |
11.0 |
10.0 |
13.0 |
Voc (mV/℃) |
-5.9 |
-6.1 |
-6.3 |
Jm (μA/cm 2/℃) |
9.0 |
9.5 |
15.0 |
Vm (mV/℃) |
-6.0 |
-6.2 |
-6.5 |
7. Wartości progowe
Chłonność |
≤ 0,92 |
Test rozciągania (przy 45°) |
≥0,83 N/mm2 |
Status |
Wykwalifikowany |
Standard testu IV: AM0, 1 słońce, 1353 W/m 2, 25 ℃.
