SC-3GA-3
YIM
| Kuantiti: | |
|---|---|
Tiga Persimpangan Sel Suria GaAs Kecekapan 30% (80cm×40cm)
Jenis sel ini ialah sel solar simpang tiga substrat GaInP2/GaAs/Ge on Ge (kelas kecekapan 30%). Sel suria mempunyai kawasan aktif 3015mm2 .
Pemasangan sel suria dilengkapi dengan diod pintasan Si diskret, penyambung dan kaca penutup.
Ciri
Sel solar GaAs simpang tiga terdiri daripada sel bawah germanium (Ge), sel tengah indium gallium arsenik (InGaAs) dan sel atas gallium indium fosforus (GaInP2) yang disambungkan secara bersiri, dengan struktur sel n/p.
Kecekapan penukaran fotoelektrik biasa ialah 30% dan dimensi biasa ialah 80.0mm x 40.0mm x 0.155mm.
Tutup kaca
Kaca penutup diperbuat daripada kaca penutup kalis sinaran dengan wap filem MgF2 bersalut pada permukaan, lebar kecacatan tepi filem MgF2 akibat perkakas tidak melebihi 0.5 mm dan jumlah luas kecacatan tidak melebihi 5% daripada jumlah luas kaca penutup.
Dimensi biasa kaca penutup ialah 80.15mm x 40.15mm x 0.12mm.
Diod pintasan
Diod pintasan menggunakan diod silikon.
Dalam ketiadaan cahaya dan dengan arus litar pintas yang dikenakan sebanyak 1.2Isc, voltan pada keadaan diod silikon adalah kurang daripada 1.0V.
Sekiranya tiada cahaya dan dengan voltan terbalik -4V yang digunakan, arus kebocoran terbalik diod silikon adalah kurang daripada 10μA
Dimensi biasa ialah 10.0mm x 10.0mm x 0.17mm
Potongan yang saling bersambung
Kepingan yang saling bersambung adalah saling bersalut perak dengan lapisan terluar perak, ketebalan 30μm±5μm, yang mana peraknya tidak kurang daripada 99.95% tulen.
Bahagian yang saling bersambung mempunyai gelang pelega terikan yang utuh dan tidak rosak
Cincin pelepasan tekanan sekeping yang saling bersambung diuji untuk keletihan tanpa patah.
Dimensi biasa ialah 8.0mm x 6.5mm x 0.03mm.
Digunakan untuk projek sistem suria angkasa dan sistem tenaga suria angkasa, sel suria gred angkasa dan panel suria berprestasi tinggi yang direka bentuk oleh jurutera angkasa lepas mahir.
Aplikasi
LEO, MEO, GEO dan penerokaan kapal angkasa
Pengalaman penerbangan
satelit siri SJ, satelit siri GY.
Setiap produk kami akan menyediakan laporan ujian yang ketat.
Spesifikasi
1. Reka Bentuk dan Data Mekanikal
Bahan Asas |
GaInP 2/GaAs/Ge pada substrat Ge |
salutan AR |
TiO X /Al 2O3 |
Dimensi |
（80.15mm±0.1mm）×（40.15mm±0.1mm） |
Kawasan Sel |
30.15cm2 |
Berat badan |
(125±12)mg/sm2 |
Ketebalan |
0.30mm±0.05mm |
Kaca penutup |
KFB 120 |
Ketebalan penutup kaca |
120±20μm |
Saling penyambung |
Kovar, bersalut perak |
Ketebalan antara penyambung |
35μm |
|
|
2. Parameter Elektrik Biasa (SCA)
Purata Voc Litar Terbuka (mV) |
2740 |
Purata Litar Pendek Jsc (mA/cm 2) |
17.3 |
Voltan @ Maks. PowerVm (mV) |
2430 |
Semasa @ Maks. KuasaJm (mA/cm 2) |
16.6 |
Kecekapan Purata η kosong (1353W/m 2) |
30% |
3. Degradasi Sinaran ( Fluence 1MeV )
Parameter |
1×10 14e/sm2 |
5×10 14e/sm2 |
1×10 15e/sm2 |
Im/Im0 |
0.98 |
0.96 |
0.93 |
Vm/Vm0 |
0.96 |
0.92 |
0.90 |
Pm/Pm0 |
0.94 |
0.88 |
0.84 |
4. Nilai Penerimaan (SCA )
Voltan V L |
2300mV |
Min. arus purata I L min @ V L |
500mA |
Min. arus individu I L ave @ V L |
480mA |
5. Perlindungan Bayangan (Diod pintasan diskret)
V ke hadapan (620mA) |
≤1.0V |
Saya terbalik (4.0V) |
≤0.2mA |
6. Pekali Suhu ( 20℃ ～ 65℃ )
Parameter |
BOL |
1 MeV, 5×10 14e/cm2 |
1 MeV, 1×10 15e/cm2 |
Jsc (μA/cm 2/ ℃) |
11.0 |
10.0 |
13.0 |
Voc (mV/℃) |
-5.9 |
-6.1 |
-6.3 |
Jm (μA/cm 2/ ℃) |
9.0 |
9.5 |
15.0 |
Vm (mV/℃) |
-6.0 |
-6.2 |
-6.5 |
7. Nilai Ambang
Penyerapan |
≤ 0.92 |
Ujian Tarik (pada 45°) |
≥0.83N/mm2 |
Status |
Berkelayakan |
Standard Ujian IV：AM0, 1sun, 1353W/m 2, 25℃.
