SC-3GA-4
YIM
| Kuantiti: | |
|---|---|
32% Sel Suria GaAs Persimpangan Tiga Tiga (40cm×80cm)
Jenis sel ini ialah sel solar simpang tiga substrat GaInP2/GaAs/Ge on Ge (kelas kecekapan 32%). Sel suria mempunyai luas aktif 30 cm2 .
Pemasangan sel suria dilengkapi dengan diod pintasan Si diskret, penyambung dan kaca penutup.
Tatasusunan Suria GaAs tiga simpang
Ciri-ciri
Tatasusunan Suria GaAs tiga simpang terdiri daripada Tatasusunan Suria GaAs simpang Tiga atau panel solar dalam pemasangan elektrik tertentu. Ciri-ciri ialah kuasa keluaran tinggi, kapasiti anti-radiasi kuat yang tinggi, julat aplikasi yang luas.
Aplikasi
LEO, MEO, GEO dan penerokaan kapal angkasa
Pengalaman penerbangan
satelit siri SJ, satelit siri GY.
Setiap produk kami akan menyediakan laporan ujian yang ketat.
Digunakan untuk projek sistem suria angkasa dan sistem kuasa suria angkasa, sel suria gred angkasa, dan panel suria jurutera angkasa yang cemerlang.
32% Perhimpunan Sel Suria GaAs Tiga Persimpangan
Jenis sel ini ialah GaInP /GaAs/Ge on Ge (kelas kecekapan 32%). 2pemasangan sel solar simpang tiga substrat Pemasangan sel suria dilengkapi dengan diod pintasan Si diskret, penyambung dan kaca penutup.
1. Reka Bentuk dan Data Mekanikal
Bahan Asas |
GaInP 2/GaAs/Ge pada substrat Ge |
salutan AR |
TiO X /Al 2O3 |
Dimensi |
(80.15±0.05)mm×(40.15±0.05)mm |
Kawasan Sel |
24.00cm2 |
Berat badan |
2.025g |
Ketebalan |
0.161mm |
Kaca penutup |
KFB 120 |
Ketebalan penutup kaca |
120±20μm |
Saling penyambung (3× bahagian hadapan/1× diod) |
Ag |
Ketebalan antara penyambung |
17μm |
2. Parameter Elektrik Biasa (SCA)
Purata Voc Litar Terbuka (mV) |
2650 |
Purata Litar Pendek Jsc (mA/cm 2) |
19.1 |
Voltan @ Maks. PowerVm (mV) |
2350 |
Semasa @ Maks. KuasaJm (mA/cm 2) |
18.45 |
Kecekapan Purata η kosong (1353W/m 2) |
32% |
Faktor Pengisian Purata |
0.850 |
Standard：AM0, 1sun, 1353W/m 2, 25℃.
3. Degradasi Sinaran ( Fluence 1MeV )
Parameter |
1×10 15e/sm2 |
Im/Im0 |
0.95 |
Vm/Vm0 |
0.88 |
Pm/Pm0 |
0.84 |
4. Nilai Penerimaan (SCA )
Voltan V L |
2200mV |
Min. arus purata I L min @ V L |
540mA |
Min. arus individu I L ave @ V L |
520mA |
5. Perlindungan Bayangan (Diod pintasan diskret)
V ke hadapan (620mA) |
≤1.0V |
Saya terbalik (4.0V) |
≤0.2mA |
6. Pekali Suhu (20 ℃～ 65℃ )
Parameter |
BOL |
1 MeV, 5×10 14e/cm2 |
1 MeV, 1×10 15e/cm2 |
|
Jsc (μA/cm 2/ ℃) |
11.0 |
10.0 |
13.0 |
|
Voc (mV/℃) |
-5.9 |
-6.1 |
-6.3 |
|
Jm (μA/cm 2/ ℃) |
9.0 |
9.5 |
15.0 |
|
Vm (mV/℃) |
-6.0 |
-6.2 |
-6.5 |
7. Nilai Ambang
Penyerapan |
≤ 0.92 |
|
Ujian Tarik (pada 45°) |
≥0.83N/mm2 |
|
Status |
Berkelayakan |
