SC-3GA-3
Yim
| Kuantiti: | |
|---|---|
sel solar gaas triple-junction
Sel solar GaA simpang triple terdiri daripada sel bawah germanium (GE), sel tengah indium galium arsenik (InGaaS) dan sel atas indium fosforus (Gainp2) yang disambungkan secara siri, dengan struktur sel N/P.
Kecekapan penukaran fotoelektrik tipikal adalah 30% dan dimensi biasa ialah 80.0mm x 40.0mm x 0.155mm.
Penutup kaca
Kaca penutup diperbuat daripada kaca penutup tahan radiasi dengan wap filem MGF2 bersalut di permukaan, lebar kecacatan kelebihan filem MGF2 disebabkan oleh perkakas tidak melebihi 0.5 mm dan jumlah kawasan kecacatan tidak melebihi 5% daripada jumlah kawasan kaca penutup.
Dimensi biasa kaca penutup ialah 80.15mm x 40.15mm x 0.12mm.
Diod pintasan
Bypass Diod menggunakan diod silikon.
Dalam ketiadaan cahaya dan dengan arus litar pintas yang dikenakan sebanyak 1.2Isc, voltan pada keadaan diod silikon adalah kurang daripada 1.0V.
Sekiranya tiada cahaya dan dengan voltan terbalik -4V yang digunakan, arus kebocoran terbalik diod silikon adalah kurang daripada 10μA
Dimensi biasa ialah 10.0mm x 10.0mm x 0.17mm
Sambungan kepingan
Potongan-potongan yang salin vasi=
Bahagian yang saling bersambung mempunyai gelang pelega terikan yang utuh dan tidak rosak
Sambungan sekeping cincin pelepasan tekanan yang diuji untuk keletihan tanpa patah.
Dimensi biasa ialah 8.0mm x 6.5mm x 0.03mm.
Digunakan untuk projek sistem solar ruang dan sistem tenaga solar ruang, sel solar gred ruang, dan jurutera ruang angkasa yang sangat baik.
1. Reka bentuk dan data mekanikal
Bahan asas |
Gainp 2/GaAs /Ge pada substrat GE |
AR-COATING |
TiO X /Al 2O3 |
Dimensi |
( 80.15mm ± 0.1mm ) × ( 40.15mm ± 0.1mm ) |
Kawasan sel |
30.15cm2 |
Berat |
(125 ± 12) mg/cm2 |
Ketebalan |
0.30mm ±0.05mm |
Coverglass |
KFB 120 |
Ketebalan penutup |
120 ± 20μm |
Interconnectors |
Kovar, perak bersalut |
Ketebalan interconnector |
35μm |
|
|
2.
Parameter elektrik biasa (SCA)
VOC litar terbuka purata ( MV ) |
2740 |
Purata Litar Pendek Jsc ( mA/cm 2) |
17.3 |
Voltan @ max. Kuasa v m ( mv ) |
2430 |
C urrent @ max. Power J M ( ma/cm 2) |
16.6 |
Kecekapan purata η kosong (1353W/m 2) |
30% |
3. Degradasi Sinaran ( Fluence 1MeV )
Parameter |
1×10 14e/sm2 |
5 × 10 14E/cm2 |
1×10 15e/sm2 |
Im/im0 |
0.98 |
0.96 |
0.93 |
VM/VM0 |
0.96 |
0.92 |
0.90 |
Pm/Pm0 |
0.94 |
0.88 |
0.84 |
4. Nilai Penerimaan (SCA )
Voltan v l |
2300mv |
Min. purata semasa saya l min @ v l |
500mA |
Min. individu semasa i l ave @ v l |
480mA |
5. Perlindungan Shadow (Diod Bypass Diskret)
V Forward (620mA) |
≤1.0v |
Saya terbalik (4.0v) |
≤0.2mA |
6. Koefisien suhu ( 20℃ ～ 65℃ )
Parameter |
Bol |
1 MeV, 5 × 10 14E/cm2 |
1 MeV, 1×10 15e/cm2 |
Jsc ( μ A/cm 2/℃ ) |
11.0 |
10.0 |
13.0 |
VOC (mv/ ℃ ) |
-5.9 |
-6.1 |
-6.3 |
J M ( μ A/cm 2/℃ ) |
9.0 |
9.5 |
15.0 |
V m (mV/ ℃ ) |
-6.0 |
-6.2 |
-6.5 |
7. Nilai Ambang
Penyerapan |
≤ 0.92 |
Ujian Tarik (pada 45°) |
≥0.83N/mm2 |
Status |
Berkelayakan |
IV Ujian Standard ： AM0, 1sun, 1353W/m 2, 25 ℃.
sel solar GaAs simpang tiga
Sel solar GaAs simpang tiga terdiri daripada sel bawah germanium (Ge), sel tengah indium gallium arsenik (InGaAs) dan sel atas gallium indium fosforus (GaInP2) yang disambungkan secara bersiri, dengan struktur sel n/p.
Kecekapan penukaran fotoelektrik biasa ialah 30% dan dimensi biasa ialah 80.0mm x 40.0mm x 0.155mm.
Tutup kaca
Kaca penutup diperbuat daripada kaca penutup kalis sinaran dengan wap filem MgF2 bersalut pada permukaan, lebar kecacatan tepi filem MgF2 akibat perkakas tidak melebihi 0.5 mm dan jumlah luas kecacatan tidak melebihi 5% daripada jumlah luas kaca penutup.
Dimensi biasa kaca penutup ialah 80.15mm x 40.15mm x 0.12mm.
Diod pintasan
Diod pintasan menggunakan diod silikon.
Dalam ketiadaan cahaya dan dengan arus litar pintas yang dikenakan sebanyak 1.2Isc, voltan pada keadaan diod silikon adalah kurang daripada 1.0V.
Sekiranya tiada cahaya dan dengan voltan terbalik -4V yang digunakan, arus kebocoran terbalik diod silikon adalah kurang daripada 10μA
Dimensi biasa ialah 10.0mm x 10.0mm x 0.17mm
Sambungan kepingan
Potongan-potongan yang salin vasi=
Bahagian yang saling bersambung mempunyai gelang pelega terikan yang utuh dan tidak rosak
Sambungan sekeping cincin pelepasan tekanan yang diuji untuk keletihan tanpa patah.
Dimensi biasa ialah 8.0mm x 6.5mm x 0.03mm.
Digunakan untuk projek sistem solar ruang dan sistem tenaga solar ruang, sel solar gred ruang, dan jurutera ruang angkasa yang sangat baik.
1. Reka bentuk dan data mekanikal
Bahan asas |
Gainp 2/GaAs /Ge pada substrat GE |
AR-COATING |
TiO X /Al 2O3 |
Dimensi |
( 80.15mm ± 0.1mm ) × ( 40.15mm ± 0.1mm ) |
Kawasan sel |
30.15cm2 |
Berat |
(125 ± 12) mg/cm2 |
Ketebalan |
0.30mm ±0.05mm |
Coverglass |
KFB 120 |
Ketebalan penutup |
120 ± 20μm |
Interconnectors |
Kovar, perak bersalut |
Ketebalan interconnector |
35μm |
|
|
2.
Parameter elektrik biasa (SCA)
VOC litar terbuka purata ( MV ) |
2740 |
Purata Litar Pendek Jsc ( mA/cm 2) |
17.3 |
Voltan @ max. Kuasa v m ( mv ) |
2430 |
C urrent @ max. Power J M ( ma/cm 2) |
16.6 |
Kecekapan purata η kosong (1353W/m 2) |
30% |
3. Degradasi Sinaran ( Fluence 1MeV )
Parameter |
1×10 14e/sm2 |
5 × 10 14E/cm2 |
1×10 15e/sm2 |
Im/im0 |
0.98 |
0.96 |
0.93 |
VM/VM0 |
0.96 |
0.92 |
0.90 |
Pm/Pm0 |
0.94 |
0.88 |
0.84 |
4. Nilai Penerimaan (SCA )
Voltan v l |
2300mv |
Min. purata semasa saya l min @ v l |
500mA |
Min. individu semasa i l ave @ v l |
480mA |
5. Perlindungan Shadow (Diod Bypass Diskret)
V Forward (620mA) |
≤1.0v |
Saya terbalik (4.0v) |
≤0.2mA |
6. Koefisien suhu ( 20℃ ～ 65℃ )
Parameter |
Bol |
1 MeV, 5 × 10 14E/cm2 |
1 MeV, 1×10 15e/cm2 |
Jsc ( μ A/cm 2/℃ ) |
11.0 |
10.0 |
13.0 |
VOC (mv/ ℃ ) |
-5.9 |
-6.1 |
-6.3 |
J M ( μ A/cm 2/℃ ) |
9.0 |
9.5 |
15.0 |
V m (mv/ ℃ ) |
-6.0 |
-6.2 |
-6.5 |
7. Nilai Ambang
Penyerapan |
≤ 0.92 |
Ujian Tarik (pada 45 °) |
≥0.83n/mm2 |
Status |
Berkelayakan |
IV Ujian Standard ： AM0, 1sun, 1353W/m 2, 25 ℃.
