三重接合GaAs太陽電池
三重接合 GaAs 太陽電池は、ゲルマニウム (Ge) ボトムセル、インジウム ガリウム ヒ素 (InGaAs) ミドル セル、ガリウム インジウム リン (GaInP2) トップ セルが直列に接続された n/p セル構造で構成されています。
標準的な光電変換効率は 30%、標準的な寸法は 80.0mm x 40.0mm x 0.155mm です。
カバーガラス
カバーガラスは、表面に MgF2 膜を蒸着した耐放射線性カバーガラスでできており、工具による MgF2 膜のエ�特性が求められます。宇宙機の機能の多様化に伴い、衛星に供給するエネルギーも増加する必要がある
カバーガラスの一般的な寸法は 80.15mm x 40.15mm x 0.12mm です。
バイパスダイオード
バイパスダイオードにはシリコンダイオードが使用されています。
光がない場合、1.2Isc の短絡電流が印加された場合、シリコン ダイオードのオン状態電圧は 1.0V 未満になります。
光が無く、-4Vの逆電圧が印加された場合、シリコンダイオードの逆漏れ電流は10μA未満です。
一般的な寸法は 10.0mm x 10.0mm x 0.17mm です。
相互接続部分
相互接続片は、銀の最外層が厚さ３０μｍ±５μｍであり、銀の純度が９９．９５％以上である銀メッキ相互接続である。
相互接続部分には無傷で損傷のない張力緩和リングが付いています。
相互接続部分の応力緩和リングは、破損することなく疲労することがテストされました。
一般的な寸法は 8.0mm x 6.5mm x 0.03mm です。
宇宙太陽光発電システムプロジェクトや宇宙太陽光発電システム、宇宙グレードの太陽電池、優秀な宇宙エンジニアのソーラーパネルに使用されます。
1. 設計および機械データ
基材 |
GaInP /GaAs/Ge2Ge基板上の |
ARコーティング |
TiO X /Al 2O3 |
寸法 |
（ 80.15mm±0.1mm ） × （ 40.15mm±0.1mm ） |
細胞領域 |
30.15cm2 |
重さ |
(125±12)mg/cm2 |
厚さ |
0.30mm ±0.05mm |
カバーガラス |
KFB120 |
カバーガラスの厚さ |
120±20μm |
インターコネクター |
コバール、シルバーコーティング |
インターコネクタの厚さ |
35μm |
|
|
2.
代表的な電気パラメータ (SCA)
平均開回路 Voc ( mV ) |
2740 |
平均短絡 Jsc ( mA/cm 2) |
17.3 |
電圧 最大電力V m ( mV ) |
2430 |
電流@ 最大電力J m ( mA/cm 2) |
16.6 |
平均効率η bare (1353W/m 2) |
30% |
3. 放射線劣化 (フルエンス 1MeV)
パラメータ |
1×10e 14/cm2 |
5×10e 14/cm2 |
1×10e 15/cm2 |
私/私0 |
0.98 |
0.96 |
0.93 |
Vm/Vm0 |
0.96 |
0.92 |
0.90 |
午後/午後0 |
0.94 |
0.88 |
0.84 |
4. 許容値 (SCA)
電圧 V L |
2300mV |
分。平均電流 I L min @ V L |
500mA |
分。個別電流 I Lave @ V L |
480mA |
5. シャドウプロテクション(ディスクリートバイパスダイオード)
V順(620mA) |
≤1.0V |
リバース）（4.0V |
≤0.2mA |
6. 温度係数（ 20℃ ～ 65℃ ）
パラメータ |
ボル |
1 MeV、5×10 14e/cm2 |
1MeV、 1×10e 15/cm2 |
Jsc ( μA /cm 2/℃ ) |
11.0 |
10.0 |
13.0 |
Voc (mV/ ℃ ) |
-5.9 |
-6.1 |
-6.3 |
J・m ( μA /cm 2/℃ ) |
9.0 |
9.5 |
15.0 |
V・m (mV/ ℃ ) |
-6.0 |
-6.2 |
-6.5 |
7. しきい値
吸収率 |
≤ 0.92 |
引張試験(45°) |
≧0.83N/mm2 |
状態 |
資格のある |
IV 試験 規格： AM0、1sun、1353W/m 2、25 ℃.
三重接合GaAs太陽電池
三重接合 GaAs 太陽電池は、ゲルマニウム (Ge) ボトムセル、インジウム ガリウム ヒ素 (InGaAs) ミドル セル、ガリウム インジウム リン (GaInP2) トップ セルが直列に接続された n/p セル構造で構成されています。
標準的な光電変換効率は 30%、標準的な寸法は 80.0mm x 40.0mm x 0.155mm です。
カバーガラス
カバーガラスは、表面に MgF2 膜を蒸着した耐放射線性カバーガラスでできており、工具による MgF2 膜のエ�特性が求められます。宇宙機の機能の多様化に伴い、衛星に供給するエネルギーも増加する必要がある
カバーガラスの一般的な寸法は 80.15mm x 40.15mm x 0.12mm です。
バイパスダイオード
バイパスダイオードにはシリコンダイオードが使用されています。
光がない場合、1.2Isc の短絡電流が印加された場合、シリコン ダイオードのオン状態電圧は 1.0V 未満になります。
光が無く、-4Vの逆電圧が印加された場合、シリコンダイオードの逆漏れ電流は10μA未満です。
一般的な寸法は 10.0mm x 10.0mm x 0.17mm です。
相互接続部分
相互接続片は、銀の最外層が厚さ３０μｍ±５μｍであり、銀の純度が９９．９５％以上である銀メッキ相互接続である。
相互接続部分には無傷で損傷のない張力緩和リングが付いています。
相互接続部分の応力緩和リングは、破損することなく疲労することがテストされました。
一般的な寸法は 8.0mm x 6.5mm x 0.03mm です。
宇宙太陽光発電システムプロジェクトや宇宙太陽光発電システム、宇宙グレードの太陽電池、優秀な宇宙エンジニアのソーラーパネルに使用されます。
1. 設計および機械データ
基材 |
GaInP /GaAs/Ge2Ge基板上の |
ARコーティング |
TiO X /Al 2O3 |
寸法 |
（ 80.15mm±0.1mm ） × （ 40.15mm±0.1mm ） |
細胞領域 |
30.15cm2 |
重さ |
(125±12)mg/cm2 |
厚さ |
0.30mm ±0.05mm |
カバーガラス |
KFB120 |
カバーガラスの厚さ |
120±20μm |
インターコネクター |
コバール、シルバーコーティング |
インターコネクタの厚さ |
35μm |
|
|
2.
代表的な電気パラメータ (SCA)
平均開回路 Voc ( mV ) |
2740 |
平均短絡 Jsc ( mA/cm 2) |
17.3 |
電圧 最大電力V m ( mV ) |
2430 |
電流@ 最大電力J m ( mA/cm 2) |
16.6 |
平均効率η bare (1353W/m 2) |
30% |
3. 放射線劣化 (フルエンス 1MeV)
パラメータ |
1×10e 14/cm2 |
5×10e 14/cm2 |
1×10e 15/cm2 |
私/私0 |
0.98 |
0.96 |
0.93 |
Vm/Vm0 |
0.96 |
0.92 |
0.90 |
午後/午後0 |
0.94 |
0.88 |
0.84 |
4. 許容値 (SCA)
電圧 V L |
2300mV |
分。平均電流 I L min @ V L |
500mA |
分。個別電流 I Lave @ V L |
480mA |
5. シャドウプロテクション(ディスクリートバイパスダイオード)
V順(620mA) |
≤1.0V |
リバース）（4.0V |
≤0.2mA |
6. 温度係数（ 20℃ ～ 65℃ ）
パラメータ |
ボル |
1 MeV、5×10 14e/cm2 |
1MeV、 1×10e 15/cm2 |
Jsc ( μA /cm 2/℃ ) |
11.0 |
10.0 |
13.0 |
Voc (mV/ ℃ ) |
-5.9 |
-6.1 |
-6.3 |
J・m ( μA /cm 2/℃ ) |
9.0 |
9.5 |
15.0 |
V・m (mV/ ℃ ) |
-6.0 |
-6.2 |
-6.5 |
7. しきい値
吸収率 |
≤ 0.92 |
引張試験(45°) |
≧0.83N/mm2 |
状態 |
資格のある |
IV 試験 規格： AM0、1sun、1353W/m 2、25 ℃.
