SC-3GA-3
イム
| 数量： | |
|---|---|
トリプルジャンクションGAAS太陽電池
トリプルジャンクションGAAS太陽電池は、ゲルマニウム（GE）ボトムセル、インジウムガリウムヒ素（INGAAS）中間細胞、およびN/P細胞構造を持つシリーズで接続されたガリウムインディウムリン（gainp2）トップセルで構成されています。
典型的な光電気変換効率は30％で、典型的な寸法は80.0mm x 40.0mm x 0.155mmです。
カバーグラス
カバーガラスは、表面にメッキされたMGF2フィルム蒸気を備えた放射抵抗性カバーガラスでできています。ツールによるMGF2フィルムのエッジ欠損の幅は0.5 mmを超えず、欠陥の総面積はカバーガラスの総面積の5％を超えません。
カバーガラスの典型的な寸法は80.15mm x 40.15mm x 0.12mmです。
バイパスダイオード
バイパスダイオードはシリコンダイオードを使用します。
光がない場合、1.2ISCの光電流を加えた場合、シリコンダイオードのオンステート電圧は1.0V未満です。
光がない場合、適用された-4V逆電圧がある場合、シリコンダイオードの逆漏れ電流は10μA未満です
典型的な寸法は10.0mm x 10.0mm x 0.17mmです
相互接続ピース
相互接続のピースは、銀の最外層、厚さ30μm±5μmの銀メッキの相互接続であり、その銀は純度99.95％以上です。
相互接続のピースには、無傷で損傷を受けていないひずみのリリーフリングがあります
骨折なしで疲労してテストされたピースストレスリリーフリングを相互接続します。
典型的な寸法は8.0mm x 6.5mm x 0.03mmです。
宇宙太陽系プロジェクトと宇宙太陽光発電システム、宇宙グレードの太陽電池、優れた宇宙エンジニアの太陽電池パネルに使用されます。
1. 設計および機械データ
基本材料 |
gainp /gaas /ge2GE基板上の |
ARコーティング |
Tio X /AlO 2。3 |
寸法 |
（ ±0.1mm ×× 80.15mm （ 40.15mm± 0.1mm |
細胞領域 |
30.15cm2 |
重さ |
（125±12）mg/cm2 |
厚さ |
0.30mm ±0.05mm |
カバーグラス |
KFB 120 |
カバーグラスの厚さ |
120±20μm |
相互接続 |
コバール、シルバーコーティング |
相互接続の厚さ |
35μm |
|
|
2.
典型的な電気パラメーター（SCA）
平均的な開回路VOC （ MV ） |
2740 |
平均短絡JSC ~!phoenix_var167_1!~MA/cm 2） |
17.3 |
Voltage @ max。パワーV M （ MV ） |
2430 |
c urrent @ max。パワーJ M （ Ma/cm 2） |
16.6 |
平均効率ηベア （1353W/m 2） |
30％ |
3. 放射線分解（フルエンス1mev）
パラメーター |
1×10 14E/cm2 |
5×10 14E/cm2 |
1×10 15E/cm2 |
im/im0 |
0.98 |
0.96 |
0.93 |
VM/VM0 |
0.96 |
0.92 |
0.90 |
PM/PM0 |
0.94 |
0.88 |
0.84 |
4. 受け入れ値（SCA）
電圧V l |
2300mv |
分平均電流i l min @ v l |
500mA |
分個々の電流i l ave @ v l |
480ma |
5. 影の保護（離散バイパスダイオード）
Vフォワード（620ma） |
≤1.0V |
逆）（4.0V |
≤0.2MA |
6. 係数（ 20℃℃ 〜 65）温度
パラメーター |
ボル |
1 MEV、5×10 14E/cm2 |
1 MEV、 1×10 15E/cm2 |
JSC（ μa /cm 2/℃ ） |
11.0 |
10.0 |
13.0 |
VOC（MV/ ℃ ） |
-5.9 |
-6.1 |
-6.3 |
J M （ μA /CM 2/℃ ） |
9.0 |
9.5 |
15.0 |
V M （MV/ ℃ ） |
-6.0 |
-6.2 |
-6.5 |
7. しきい値
吸収性 |
≤0.92 |
テストをプル（45°） |
≥0.83n/mm2 |
状態 |
資格 |
IV テスト 標準： AM0、1SUN、1353W/m 2、25 ℃.
トリプルジャンクションGAAS太陽電池
トリプルジャンクションGAAS太陽電池は、ゲルマニウム（GE）ボトムセル、インジウムガリウムヒ素（INGAAS）中間細胞、およびN/P細胞構造を持つシリーズで接続されたガリウムインディウムリン（gainp2）トップセルで構成されています。
典型的な光電気変換効率は30％で、典型的な寸法は80.0mm x 40.0mm x 0.155mmです。
カバーグラス
カバーガラスは、表面にメッキされたMGF2フィルム蒸気を備えた放射抵抗性カバーガラスでできています。ツールによるMGF2フィルムのエッジ欠損の幅は0.5 mmを超えず、欠陥の総面積はカバーガラスの総面積の5％を超えません。
カバーガラスの典型的な寸法は80.15mm x 40.15mm x 0.12mmです。
バイパスダイオード
バイパスダイオードはシリコンダイオードを使用します。
光がない場合、1.2ISCの光電流を加えた場合、シリコンダイオードのオンステート電圧は1.0V未満です。
光がない場合、適用された-4V逆電圧がある場合、シリコンダイオードの逆漏れ電流は10μA未満です
典型的な寸法は10.0mm x 10.0mm x 0.17mmです
相互接続ピース
相互接続のピースは、銀の最外層、厚さ30μm±5μmの銀メッキの相互接続であり、その銀は純度99.95％以上です。
相互接続のピースには、無傷で損傷を受けていないひずみのリリーフリングがあります
骨折なしで疲労してテストされたピースストレスリリーフリングを相互接続します。
典型的な寸法は8.0mm x 6.5mm x 0.03mmです。
宇宙太陽系プロジェクトと宇宙太陽光発電システム、宇宙グレードの太陽電池、優れた宇宙エンジニアの太陽電池パネルに使用されます。
1. 設計および機械データ
基本材料 |
gainp /gaas /ge2GE基板上の |
ARコーティング |
Tio X /AlO 2。3 |
寸法 |
（ ±0.1mm ×× 80.15mm （ 40.15mm± 0.1mm |
細胞領域 |
30.15cm2 |
重さ |
（125±12）mg/cm2 |
厚さ |
0.30mm ±0.05mm |
カバーグラス |
KFB 120 |
カバーグラスの厚さ |
120±20μm |
相互接続 |
コバール、シルバーコーティング |
相互接続の厚さ |
35μm |
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2.
典型的な電気パラメーター（SCA）
平均的な開回路VOC （ MV ） |
2740 |
平均短絡JSC ~!phoenix_var249_1!~MA/cm 2） |
17.3 |
Voltage @ max。パワーV M （ MV ） |
2430 |
c urrent @ max。パワーJ M （ Ma/cm 2） |
16.6 |
平均効率ηベア （1353W/m 2） |
30％ |
3. 放射線分解（フルエンス1mev）
パラメーター |
1×10 14E/cm2 |
5×10 14E/cm2 |
1×10 15E/cm2 |
im/im0 |
0.98 |
0.96 |
0.93 |
VM/VM0 |
0.96 |
0.92 |
0.90 |
PM/PM0 |
0.94 |
0.88 |
0.84 |
4. 受け入れ値（SCA）
電圧V l |
2300mv |
分平均電流i l min @ v l |
500mA |
分個々の電流i l ave @ v l |
480ma |
5. 影の保護（離散バイパスダイオード）
Vフォワード（620ma） |
≤1.0V |
逆）（4.0V |
≤0.2MA |
6. 係数（ 20℃℃ 〜 65）温度
パラメーター |
ボル |
1 MEV、5×10 14E/cm2 |
1 MEV、 1×10 15E/cm2 |
JSC（ μa /cm 2/℃ ） |
11.0 |
10.0 |
13.0 |
VOC（MV/ ℃ ） |
-5.9 |
-6.1 |
-6.3 |
J M （ μA /CM 2/℃ ） |
9.0 |
9.5 |
15.0 |
V M （MV/ ℃ ） |
-6.0 |
-6.2 |
-6.5 |
7. しきい値
吸収性 |
≤0.92 |
テストをプル（45°） |
≥0.83n/mm2 |
状態 |
資格 |
IV テスト 標準： AM0、1SUN、1353W/m 2、25 ℃.
