砷化镓集成电路（GaAs）是指由半导体砷化镓（GaAs）器件组成的集成电路。砷化镓集成电路包括砷化镓超高速集成电路（VHSIC）、微波单片集成电路（MMIC）和光电集成电路（Isc）。 Gaasic主要是指采用GaAs半导体材料制成的集成电路。其有源器件主要是金属肖特基场效应晶体管（MESFET）和结型场效应晶体管（JFET）；它还包括由高电子迁移率晶体管（HEMT）和异质结双极晶体管（HBT）等器件开发的集成电路，这些器件由分子束外延（MB）和有机金属气相沉积（MOCVD）生长的材料制成
GaAs Isc具有高频、高速、大功率、低噪声、低功耗等优点。 CMOS工作频率上限约为150MHz。 BiCMOS结合双极晶体管技术可以将工作频率提高到300MHz。如果需要提高频率，就必须采用ECL技术，其工作频率可以提高到2～5GHz。样品集成度达到30000～40000门，但其功耗太大，产品竞争力较差。趋势是采用GaAs技术，其工作频率可达5～10GHz以上，且功耗适中。因此，它是高速系统，特别是2.4GB/s以上系统的主要适用技术。对于某些应用，MESFET的低噪声和高频性能无法满足要求，因此需要采用新器件HEMT、HFET和PHEMT。有时为了考虑成本因素，会采用分立器件。例如，在DBS接收器中，两级低噪声放大器是通过分立的HEMT实现的。
GaAs HBT 是一个新兴的竞争对手。它可以提供双极器件的单电源供电和低相位噪声特性的优点。它适用于振荡器。其存在的问题是成本高。值得注意的是，无线通信特别注重低电压运行。 PHEMT 正好具备这个优势。例如，采用合适的优选匹配网络，工作频率800MHz，漏偏压1.5V，输出功率30MW，增益10.6db，附加效率（PAE）80.4%；偏置电压为3V，输出功率为122mw，增益为12.2db，PAE为84%。表3列出了漏偏压Voc为1.5～7.8v时器件的性能变化。如果采用合适的夹断电压，还可以实现单电源供电
