GaAs Güneş Pili Temel Performans Parametreleri

Üç bağlantılı galyum arsenit güneş pili temel performans parametreleri

Ürün özellikleri

Üç bağlantılı galyum arsenit güneş pili, substrat olarak germanyum kullanır ve yüksek verimlilik ve güçlü radyasyon direncine sahip, bağlantı serisi aracılığıyla üç N / P yapı alt hücresinden oluşur.

uygulama alanı

Alçak yörüngeli uçaklar, orta yörüngeli uçaklar, yüksek yörüngeli uçaklar (nano uydular, küçük uydular, ticari uydular, büyük uydular, dronlar vb.)

temel veriler

Galyum arsenit pil malzemesi: üçlü bağlantılı galyum arsenit (GaInP2 / GaAs / GeGe substratı)

Galyum arsenit pilin boyutu: (80,15 ± 0,05) mm * (40,15 ± 0,05) mm

Galyum arsenit pil alanı: 30,15c㎡

Galyum arsenit pilin kalınlığı: 0,36±0,02 mm

Galyum arsenit pil ağırlığı: (125 ± 12) mg/c ㎡

Yansıma membranı: TiOx / Al2O3

Cam kapak plakası: KFB120

Kapak plakasının kalınlığı: 120 ± 20 μm

Birbirine bağlı sac malzemesi: gümüş / gümüş kaplama

Ara bağlantı sacının kalınlığı: 20 / 25 μ m

Elektriksel performans verileri (AM 0,1SUN, 1353w / ㎡, 25°C)

Ortalama açık devre voltajı Voc (mV): 2740

Joc'un ortalama kısa devre akım yoğunluğu (mA / c ㎡): 17,4

Maksimum güç voltajı: Vm (mV): 2430

Joc'un maksimum güç akımı yoğunluğu (mA / c ㎡): 16,7

η bazının ortalama dönüşüm verimliliği: %30

Doldurma faktörü: 0,850

Işınlama yoğunluğu: (AM 0,1 SUN, 1353w / ㎡, 25°C)

Işınlama yoğunluğu 1 * 1014e / cm2 5 * 1014e / cm2 1 * 1015e / cm2 idi

Im/Imo 0,99 0,97 0,94

Vm/Vmo 0,96 0,93 0,92

Pm/Pmo 0,95 0,90 0,86

tasarım değeri

Gerilim VI (mV) 2350; ortalama akım Ll ave (mA) 500; minimum akım Ll min (mA) 480

Diyot koruması

İleri (620mA) ≤1,0V; Ters(4.0V) ≤50μA

Diğer parametreler

Emilim katsayısı 0,92; 0,83N / mm2 çekme kuvvetine dayanabilir

sıcaklık katsayısı

Radyasyon yoğunluğu BOL 1MeV, 5*1014e/cm2 1MeV ve 1*1015e/cm2 idi

Jsc(μA/cm2/C) 11,0 10,0 13,0

Voc(mV/ C) -5,9 -6,1 -6,3

Jm(μA/cm2/C) 9,0 9,5 15,0

Vm(mV/ C) -6,0 -6,2 -6,5