GAAS (Gallium Arsenide)는 일반적으로 태양 전지 ( GAAS 세포 라고 함 )를 만드는 데 가장 많이 사용됩니다. 왜냐하면 비교적 높은 흡수 계수를 갖는 사고 태양 복사에서 상대적으로 더 많은 에너지를 흡수하기 때문입니다. 이러한 특성은 태양 전지의 제조에 필요합니다.
GAA가 Asolar 세포의 어셈블리에서 가장 일반적으로 사용되는 이론적 근거를 진술하십시오.
힌트 : 완전한 종류의 GAA는 갈륨 무세도 나이드로 정의되며 우리의 태양 광 발전의 기초이기 때문에 사용됩니다. 갈륨 비소 나이드는 반도체 물질 일 수 있습니다 . 이것은 갈륨과 아르 세 나이드의 혼합물로 형성되는 합금입니다.이 조합은 우주 기술에 일반적으로 사용되는 매우 비싼 물질 일 수 있습니다 ..
갈륨 아르 세나이드는 태양 전력을 전기로 전환 할 수 있으며, 갈륨 아르 세나이드의 많은 장점이 있습니다. 첫 번째는 낮은 온도 계수를 가지고 있으며,이 재료는 정직한 저조도 성능을 가지고 있으며, 또한 높은 효율을 가지고 있습니다. 직물은 수분 저항력이 있고 우수한 UV 광선을 방사합니다. 직물은 유연하고 가벼운 중량으로 간주되어 왔으며, gallium arsenide는 상대적으로 더 높은 흡수 계수로 인해 사고 태양 복사에서 상대적으로 더 많은 에너지를 흡수 할 수 있기 때문에 태양 광 세포의 조립에 가장 일반적으로 사용됩니다.
갈륨 비 세나이드의 다수의 전자 특성은 실리콘의 특성보다 높습니다. Gallium arsenide는 더 나은 포화 전자 속도와 전자의 이동성이 더 높습니다. 이를 통해 250GHz 이상의 주파수에서 갈륨 비소 트랜지스터가 기능 할 수 있습니다. 그들은 더 높은 주파수에서도 실리콘 장치보다 전기 신호 내에서 소음이나 교란이 적습니다. 이는 상부 캐리어 모빌리티와 낮은 저항 장치 특성 때문입니다. 이러한 특성 덕분에 Gallium Arsenide는 위성 통신에도 사용되었습니다.
