Kullanılabilirlik: | |
---|---|
Miktar: | |
Esnek GaAs Güneş Pili:
Ürün özellikleri |
|
substrat |
bakır |
Hücre alanı /cm2 |
12-30 |
Yüzey yoğunluğu/g/m2 |
260 |
Kalınlık/㎛ |
30-35 |
Minimum bükülme yarıçapı/mm |
50 |
Elektrik Performansı: |
|
Ortalama açık devre voltajı (MV) |
3080 |
Ortalama Kısa Devre Akım Yoğunluğu (MA/CM 2) |
16.3 |
Ortalama voltaj@maks güç (MV) |
2641 |
Ortalama akım yoğunluğu@max güç (MA/cm 2) |
15.6 |
Ortalama verimlilik |
% 30 |
Esnek GaAs Güneş Pili:
Ürün özellikleri |
|
substrat |
bakır |
Hücre alanı /cm2 |
12-30 |
Yüzey yoğunluğu/g/m2 |
260 |
Kalınlık/㎛ |
30-35 |
Minimum bükülme yarıçapı/mm |
50 |
Elektrik Performansı: |
|
Ortalama açık devre voltajı (MV) |
3080 |
Ortalama Kısa Devre Akım Yoğunluğu (MA/CM 2) |
16.3 |
Ortalama voltaj@maks güç (MV) |
2641 |
Ortalama akım yoğunluğu@max güç (MA/cm 2) |
15.6 |
Ortalama verimlilik |
% 30 |