기술 설명 SC-3GA-1-12
우주 태양광 발전 시스템 프로젝트 및 우주 태양광 발전 시스템, 우주 등급 태양 전지 및 우수한 우주 엔지니어 태양 전지 패널에 사용됩니다.
1. 설계 및 기계 데이터
기본 재료 |
Ge 기판의 GaInP2/GaAs/Ge |
AR코팅 |
TiOx / 2Al2O3 |
치수 |
40mm×30mm |
셀 영역 |
12.00cm2 |
무게 |
(145±12)mg/cm2 |
두께 |
0.36±0.02mm |
커버글래스 |
KFB120 |
커버글래스 두께 |
120±20μm |
인터커넥터(2× 전면/1× 다이오드) |
Ag |
인터커넥터 두께 |
17μm |
2. 일반적인 전기 매개변수(SCA)
평균 개방 회로 Voc(mV) |
2630 |
평균 단락 Jsc(mA/cm 2) |
17.0 |
평균 효율 θ bare (1367W/m 2) |
27.5% |
평균 채우기 비율 |
0.840 |
표준: AM0, 1sun, 1353W/m 2, 25℃.
3. 방사선 열화 ( Fluence 1MeV )
매개변수 |
1×10e 14/cm2 |
5×10e 14/cm2 |
1×10e 15/cm2 |
나는/나는0 |
0.99 |
0.96 |
0.92 |
VM/Vm0 |
0.94 |
0.92 |
0.90 |
오후/오후0 |
0.93 |
0.88 |
0.83 |
4. 수락 값(SCA)
전압 V L |
2200mV |
최소 평균 전류 I L min @ V L |
190mA |
최소 개별 전류 I L ave @ V L |
170mA |
5. Shadow Protection(통합 바이패스 다이오드)
V 순방향 (250mA) |
4.0V 이하 |
역방향 ( 4.0V ) |
1.0mA 이하 |
6. 온도계수 (15 ℃ ～ 75℃ )
매개변수 |
볼 |
1MeV, 5×10e 14/cm2 |
Jsc (uA/cm2 2/℃) |
5.0 |
6.0 |
Voc(mV/℃) |
-6.4 |
-6.8 |
7. 임계값
흡수력 |
≤ 0.92 |
방출량(일반) |
0.84±0.02 |
당김 테스트(45°에서) |
≥0.83N/mm2 |
상태 |
자격 있는 |
기술 설명 SC-3GA-1-12
우주 태양광 발전 시스템 프로젝트 및 우주 태양광 발전 시스템, 우주 등급 태양 전지 및 우수한 우주 엔지니어 태양 전지 패널에 사용됩니다.
1. 설계 및 기계 데이터
기본 재료 |
Ge 기판의 GaInP2/GaAs/Ge |
AR코팅 |
TiOx / 2Al2O3 |
치수 |
40mm×30mm |
셀 영역 |
12.00cm2 |
무게 |
(145±12)mg/cm2 |
두께 |
0.36±0.02mm |
커버글래스 |
KFB120 |
커버글래스 두께 |
120±20μm |
인터커넥터(2× 전면/1× 다이오드) |
Ag |
인터커넥터 두께 |
17μm |
2. 일반적인 전기 매개변수(SCA)
평균 개방 회로 Voc(mV) |
2630 |
평균 단락 Jsc(mA/cm 2) |
17.0 |
평균 효율 θ bare (1367W/m 2) |
27.5% |
평균 채우기 비율 |
0.840 |
표준: AM0, 1sun, 1353W/m 2, 25℃.
3. 방사선 열화 ( Fluence 1MeV )
매개변수 |
1×10e 14/cm2 |
5×10e 14/cm2 |
1×10e 15/cm2 |
나는/나는0 |
0.99 |
0.96 |
0.92 |
VM/Vm0 |
0.94 |
0.92 |
0.90 |
오후/오후0 |
0.93 |
0.88 |
0.83 |
4. 수락 값(SCA)
전압 V L |
2200mV |
최소 평균 전류 I L min @ V L |
190mA |
최소 개별 전류 I L ave @ V L |
170mA |
5. Shadow Protection(통합 바이패스 다이오드)
V 순방향 (250mA) |
4.0V 이하 |
역방향 ( 4.0V ) |
1.0mA 이하 |
6. 온도계수 (15 ℃ ～ 75℃ )
매개변수 |
볼 |
1MeV, 5×10e 14/cm2 |
Jsc (uA/cm2 2/℃) |
5.0 |
6.0 |
Voc(mV/℃) |
-6.4 |
-6.8 |
7. 임계값
흡수력 |
≤ 0.92 |
방출량(일반) |
0.84±0.02 |
당김 테스트(45°에서) |
≥0.83N/mm2 |
상태 |
자격 있는 |
